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2N4260

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-72, TO-72, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小135KB,共2页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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2N4260概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-72, TO-72, 4 PIN

2N4260规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-72
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.03 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-72
JESD-30 代码O-MBCY-W4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1600 MHz
Base Number Matches1

2N4260相似产品对比

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描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-72, TO-72, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-72, TO-72, 4 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-106, TO-106, 4 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-106, TO-106, 4 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-106, TO-106, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-72, TO-72, 4 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-105, TO-105, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-106, TO-106, 4 PIN Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN
零件包装代码 TO-72 TO-72 BCY BCY BCY TO-72 TO-105 BCY TO-66
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-PBCY-W4 CYLINDRICAL, O-PBCY-W4 CYLINDRICAL, O-PBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 TO-106, 4 PIN FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 4 4 3 3 3 4 3 3 2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknown unknow
最大集电极电流 (IC) 0.03 A 0.05 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.03 A 0.5 A 0.1 A 1 A
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-72 TO-72 TO-106 TO-106 TO-106 TO-72 TO-105 TO-106 TO-66
JESD-30 代码 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4 O-PBCY-W4 O-PBCY-W4 O-PBCY-W4 O-MBCY-W4 O-PBCY-W3 O-PBCY-W4 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4 4 3 4 2
最高工作温度 200 °C 175 °C 125 °C 125 °C 150 °C 200 °C 125 °C 150 °C 175 °C
封装主体材料 METAL METAL PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY METAL PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP NPN NPN PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.35 W 0.2 W 25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 1600 MHz 600 MHz 400 MHz 40 MHz 40 MHz 2000 MHz 100 MHz 50 MHz 0.03 MHz
最小直流电流增益 (hFE) 30 - 18 50 100 30 25 250 20
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 - -

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