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NDS8961S62Z

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小232KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NDS8961S62Z概述

Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

NDS8961S62Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)3.1 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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