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MXLSMLJ13AE3: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 13V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小950KB，共12页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 13V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	R-PDSO-J2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压	15.9 V
最小击穿电压	14.4 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AB
JESD-30 代码	R-PDSO-J2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	3000 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.61 W
参考标准	MIL-19500
最大重复峰值反向电压	13 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	J BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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