HB56C19AT-12A概述

DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS, SIMM-30

HB56C19AT-12A规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SIMM
包装说明	, SIP30,.2
针数	30
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	STATIC COLUMN
最长访问时间	120 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-T30
JESD-609代码	e0
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	DRAM MODULE
内存宽度	9
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	30
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX9
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP30,.2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	12.7 mm
最大待机电流	0.009 A
最大压摆率	0.45 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HB56C19AT-12A相似产品对比

	HB56C19AT-12A	HB56C19A-10A	HB56C19B-10A	HB56C19AT-8A	HB56C19A-12A	HB56C19AT-10A	HB56C19B-8A	HB56C19B-12A	HB56C19A-8A
描述	DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
包装说明	, SIP30,.2	, SIP30,.2	SIMM, SIM30	, SIP30,.2	, SIP30,.2	, SIP30,.2	SIMM, SIM30	SIMM, SIM30	, SIP30,.2
针数	30	30	30	30	30	30	30	30	30
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	STATIC COLUMN	STATIC COLUMN	STATIC COLUMN	STATIC COLUMN	STATIC COLUMN	STATIC COLUMN	STATIC COLUMN	STATIC COLUMN	STATIC COLUMN
最长访问时间	120 ns	100 ns	100 ns	80 ns	120 ns	100 ns	80 ns	120 ns	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-T30	R-XSMA-T30	R-XSMA-N30	R-XSMA-T30	R-XSMA-T30	R-XSMA-T30	R-XSMA-N30	R-XSMA-N30	R-XSMA-T30
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bi
内存集成电路类型	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE
内存宽度	9	9	9	9	9	9	9	9	9
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	30	30	30	30	30	30	30	30	30
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX9	1MX9	1MX9	1MX9	1MX9	1MX9	1MX9	1MX9	1MX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP30,.2	SIP30,.2	SIM30	SIP30,.2	SIP30,.2	SIP30,.2	SIM30	SIM30	SIP30,.2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	512	512	512	512	512	512
座面最大高度	12.7 mm	20.574 mm	20.447 mm	12.7 mm	20.574 mm	12.7 mm	20.447 mm	20.447 mm	20.574 mm
最大待机电流	0.009 A	0.009 A	0.009 A	0.009 A	0.009 A	0.009 A	0.009 A	0.009 A	0.009 A
最大压摆率	0.45 mA	0.54 mA	0.54 mA	0.63 mA	0.45 mA	0.54 mA	0.63 mA	0.45 mA	0.63 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
是否无铅	含铅	含铅	-	含铅	含铅	含铅	-	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合	-	-	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	e0	e0	-	-	e0
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED

HB56C19AT-12A

HB56C19AT-12A概述

HB56C19AT-12A规格参数

文档预览

HB56C19AT-12A相似产品对比

推荐资源