ST110S10P1VPBF,ST110S10P1VPBF pdf中文资料,ST110S10P1VPBF引脚图,ST110S10P1VPBF电路-Datasheet-电子工程世界

ST110S10P1VPBF: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209AC; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小49KB，共1页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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ST110S10P1VPBF概述

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code	compliant
配置	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率	500 V/us
最大直流栅极触发电流	150 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
JEDEC-95代码	TO-209AC
JESD-30 代码	O-MUPM-H3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	125 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	175 A
断态重复峰值电压	1000 V
重复峰值反向电压	1000 V
表面贴装	NO
端子形式	HIGH CURRENT CABLE
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40
触发设备类型	SCR

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