Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 2 A |
| 基于收集器的最大容量 | 180 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 300 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-213AA |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 功耗环境最大值 | 35 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 35 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 15 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 9000 ns |
| VCEsat-Max | 1 V |
| Base Number Matches | 1 |
| 2N6423 | |
|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 2 A |
| 基于收集器的最大容量 | 180 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 300 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-213AA |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 功耗环境最大值 | 35 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 35 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 15 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 9000 ns |
| VCEsat-Max | 1 V |
| Base Number Matches | 1 |
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