Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Harris |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 4 A |
集电极-发射极最大电压 | 300 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 8 |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 75 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 4 MHz |
最大关闭时间(toff) | 4900 ns |
最大开启时间(吨) | 800 ns |
VCEsat-Max | 1 V |
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