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MBM27256-30X

产品描述EPROM, 32KX8, 300ns, MOS, CDIP28
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文件大小78KB,共2页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MBM27256-30X概述

EPROM, 32KX8, 300ns, MOS, CDIP28

MBM27256-30X规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
包装说明DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间300 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T28
内存密度262144 bit
内存宽度8
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
编程电压12.5 V
认证状态Not Qualified
最大压摆率0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

MBM27256-30X相似产品对比

MBM27256-30X MBM27256-30W MBM27256-25
描述 EPROM, 32KX8, 300ns, MOS, CDIP28 IC,EPROM,32KX8,MOS,DIP,28PIN,CERAMIC 32KX8 UVPROM, 250ns, CQCC32, METAL SEALED, CERAMIC, LCC-32
包装说明 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 WQCCN,
Reach Compliance Code compliant compliant unknown
最长访问时间 300 ns 300 ns 250 ns
JESD-30 代码 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-CQCC-N32
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存宽度 8 8 8
端子数量 28 28 32
字数 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000
最高工作温度 85 °C 125 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -55 °C -
组织 32KX8 32KX8 32KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP WQCCN
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER, WINDOW
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES
技术 MOS MOS NMOS
温度等级 INDUSTRIAL MILITARY COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL QUAD
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
厂商名称 FUJITSU(富士通) - FUJITSU(富士通)
I/O 类型 COMMON COMMON -
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6 -
电源 5 V 5 V -
编程电压 12.5 V 12.5 V -
最大压摆率 0.12 mA 0.12 mA -
ECCN代码 - EAR99 EAR99
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