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IS62LV12816LL-100TI

产品描述Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
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文件大小240KB,共8页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS62LV12816LL-100TI概述

Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

IS62LV12816LL-100TI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2-44
针数44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间100 ns
其他特性CONFIGURABLE AS 128K X 16
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度18.41 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.00001 A
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

IS62LV12816LL-100TI相似产品对比

IS62LV12816LL-100TI IS62LV12816LL-100B IS62LV12816LL-100BI IS62LV12816LL-100T
描述 Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MINI, BGA-48 Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MINI, BGA-48 Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码 TSOP2 BGA BGA TSOP2
包装说明 TSOP2-44 MINI, BGA-48 MINI, BGA-48 TSOP2-44
针数 44 48 48 44
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 100 ns 100 ns 100 ns 100 ns
其他特性 CONFIGURABLE AS 128K X 16 CONFIGURABLE AS 128K X 16 CONFIGURABLE AS 128K X 16 CONFIGURABLE AS 128K X 16
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 44 48 48 44
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 BGA BGA TSOP2
封装等效代码 TSOP44,.46,32 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 TSOP44,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY GRID ARRAY SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3 V 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.00001 A 0.000005 A 0.00001 A 0.000005 A
最小待机电流 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
最大压摆率 0.04 mA 0.02 mA 0.04 mA 0.02 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING BALL BALL GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.75 mm 0.75 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL BOTTOM BOTTOM DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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