Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
零件包装代码 | TSOP2 |
包装说明 | TSOP2-44 |
针数 | 44 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 100 ns |
其他特性 | CONFIGURABLE AS 128K X 16 |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 18.41 mm |
内存密度 | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 44 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 |
封装等效代码 | TSOP44,.46,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.00001 A |
最小待机电流 | 1.5 V |
最大压摆率 | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 10.16 mm |
IS62LV12816LL-100TI | IS62LV12816LL-100B | IS62LV12816LL-100BI | IS62LV12816LL-100T | |
---|---|---|---|---|
描述 | Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MINI, BGA-48 | Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MINI, BGA-48 | Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
零件包装代码 | TSOP2 | BGA | BGA | TSOP2 |
包装说明 | TSOP2-44 | MINI, BGA-48 | MINI, BGA-48 | TSOP2-44 |
针数 | 44 | 48 | 48 | 44 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 100 ns | 100 ns | 100 ns | 100 ns |
其他特性 | CONFIGURABLE AS 128K X 16 | CONFIGURABLE AS 128K X 16 | CONFIGURABLE AS 128K X 16 | CONFIGURABLE AS 128K X 16 |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 44 | 48 | 48 | 44 |
字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 85 °C | 70 °C |
组织 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 | BGA | BGA | TSOP2 |
封装等效代码 | TSOP44,.46,32 | BGA48,6X8,30 | BGA48,6X8,30 | TSOP44,.46,32 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | GRID ARRAY | GRID ARRAY | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.00001 A | 0.000005 A | 0.00001 A | 0.000005 A |
最小待机电流 | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
最大压摆率 | 0.04 mA | 0.02 mA | 0.04 mA | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | BALL | BALL | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm | 0.75 mm | 0.75 mm | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL | BOTTOM | BOTTOM | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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