BZW04_13,BZW04_13 pdf中文资料,BZW04_13引脚图,BZW04

BZW04_13: 产品描述400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小254KB，共6页; 制造商Taiwan Semiconductor; 官网地址http://www.taiwansemi.com/

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BZW04_13概述

400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15

BZW04_13相似产品对比

	BZW04_13	BZW04-7V8	BZW04-10	BZW04-136	BZW04-15
描述	400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15	400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41	400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41	400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE	400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合	符合
包装说明	-	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	-	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大击穿电压	-	9.55 V	12.6 V	168 V	18.9 V
最小击穿电压	-	8.65 V	11.4 V	152 V	17.1 V
外壳连接	-	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	-	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	-	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41
JESD-30 代码	-	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	-	400 W	400 W	400 W	400 W
元件数量	-	1	1	1	1
端子数量	-	2	2	2	2
最高工作温度	-	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最低工作温度	-	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	-	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	-	245	245	245	NOT SPECIFIED
极性	-	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	-	1 W	1 W	1 W	1 W
最大重复峰值反向电压	-	7.78 V	10.2 V	136 V	15.3 V
表面贴装	-	NO	NO	NO	NO
技术	-	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE
端子形式	-	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	-	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	-	30	30	30	NOT SPECIFIED
厂商名称	-	-	Taiwan Semiconductor	Taiwan Semiconductor	Taiwan Semiconductor

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