电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

JANTXV6146AUS

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小42KB,共4页
制造商SEMTECH
官网地址http://www.semtech.com
下载文档 详细参数 全文预览

JANTXV6146AUS概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

JANTXV6146AUS规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMTECH
包装说明HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压14.25 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-XELF-N2
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散7.5 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压11.4 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式NO LEAD
端子位置END

文档预览

下载PDF文档
1N6138US thru 1N6173US
1N6139AUS thru 1N6173AUS
1500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)
POWER DISCRETES
Description
Quick reference data
V
BR MIN
= 6.12 -180V
V
RWM
= 5.2 - 152V
V
C
(max) = 11 - 273V
I
(BR)
1N6138 - 1N6173 = 5mA - 175mA
Features
Low dynamic impedance
Hermetically sealed non-cavity construction
1500 watt peak pulse power
7.5W continuous
These products are qualified to MIL-PRF-19500/516
and are preferred parts as listed in MIL-HDBK-5961.
They can be supplied fully released as JANTX,
JANTXV and JANS versions.
Electrical Specifications
Electrical specifications @ T
A
= 25°C unless otherwise specified.
Device
Type
Minimum
Breakdow n
Voltage
V
(BR)
@ I
(BR)
Volts
Test
Working
Current Pk. Reverse
I
(BR)
Voltage
V
RWM
mA
175
175
175
150
150
150
150
125
125
125
125
100
100
100
100
75
75
75
75
Volts
5.2
5.7
5.7
6.2
6.2
6.9
6.9
7.6
7.6
8.4
8.4
9.1
9.1
9.9
9.9
11.4
11.4
12.2
12.2
Maximum
Reverse
Current
I
R1
µA
500
300
300
100
100
100
100
100
100
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
1
Maximum
Clamping
Voltage
V
C
@ I
P
Volts
11.0
11.8
11.2
12.7
12.1
14.0
13.4
15.2
14.5
16.3
15.6
17.7
16.9
19.0
18.2
21.9
21.0
23.4
22.3
Maximum
Pk. Pulse
Current I
P
T
P
= 1mS
Amps
136.4
127.1
133.9
118.1
124.0
107.1
111.9
98.7
103.4
92.0
96.2
84.7
88.8
78.9
82.4
68.5
71.4
64.1
67.3
Temp.
Coeff. of
V
(BR)
α
(VZ)
% °C
/
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
Maximum
Reverse
Current
I
R2
@ 150°C
µA
12,000
3,000
3,000
2,000
2,000
1,200
1,200
800
800
800
800
600
600
600
600
400
400
400
400
www.semtech.com
1N6138
1N6139
1N6139A
1N6140
1N6140A
1N6141
1N6141A
1N6142
1N6142A
1N6143
1N6143A
1N6144
1N6144A
1N6145
1N6145A
1N6146
1N6146A
1N6147
1N6147A
6.12
6.75
7.13
7.38
7.79
8.19
8.65
9.0
9.5
9.9
10.45
10.8
11.4
11.7
12.35
13.5
14.25
14.4
15.2
Revision: February 2010
电容充电放电时间计算公式
电容充电放电时间计算公式 设,V0 为电容上的初始电压值;   V1 为电容最终可充到或放到的电压值;   Vt 为t时刻电容上的电压值。   则,   Vt="V0"+(V1-V0)*   ......
sw3926 模拟电子
【 C2000的使用经验】部分程序加载至RAM中运行
本帖最后由 ltbytyn 于 2015-4-26 00:46 编辑 DSP访问flash中的数据需要多个时钟周期。而DSP在RAM中执行就比较快。受限于DSP 的flash空间远大于RAM空间,因此我们不可能将所有的函数都搬到RA ......
ltbytyn 微控制器 MCU
Multisim2001教程及软件 236M
46210...
wzt FPGA/CPLD
DIY 示波器1.0进展汇报
很长时间没有和网友门见面了, EEW_DSO1.0现在这在焊接样机, 大概这周能够完成,这是基于STM32F103的,到时还由NJ1967来调试并进行软件的开发。...
莫恩 DIY/开源硬件专区
【一起玩esp8266】flash的擦除方法——专治疑难杂症
本帖最后由 leekuip 于 2016-8-14 23:13 编辑 收到板子之后马上连接电脑进行了试玩,但是固件的运行不正常,在D大的指导下用擦除flash的方法解决了问题,在这里把解决的方法整理一下。这个是 ......
leekuip MicroPython开源版块
单片机驱动步进电机驱动器
我的单片机IO输出的电平是3.3V,但是那个ZD-6209-V2C 两相步进电机专用驱动控制器是5V电平驱动的,而且驱动电流大约需要5mA,那我要怎么弄啊!求大侠指导一下,采用最简单的方法解决问题! ......
lucky_star 单片机

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2534  61  2559  2150  1351  29  38  7  48  18 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved