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LTE42012RTRAY

产品描述TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, FO-41B, 2 PIN, BIP RF Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小66KB,共1页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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LTE42012RTRAY概述

TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, FO-41B, 2 PIN, BIP RF Power

LTE42012RTRAY规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.4 A
配置SINGLE
最高频带C BAND
JESD-30 代码O-CRFM-F2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最小功率增益 (Gp)7 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

LTE42012RTRAY相似产品对比

LTE42012RTRAY PTB42001X LLE16045XTRAY LTE42005STRAY
描述 TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, FO-41B, 2 PIN, BIP RF Power TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, FO-41B, 2 PIN, BIP RF Power TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, FO-41B, 2 PIN, BIP RF Power
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2 FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最高频带 C BAND C BAND L BAND C BAND
JESD-30 代码 O-CRFM-F2 O-CRFM-F2 R-CDFM-F2 O-CRFM-F2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND RECTANGULAR ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最小功率增益 (Gp) 7 dB 5 dB 10 dB 7.2 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES NO
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL DUAL RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
针数 2 2 - 2
最大集电极电流 (IC) 0.4 A - 0.05 A 0.11 A
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