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CMLT3946EGTR1

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN and PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小123KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMLT3946EGTR1概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN and PNP

CMLT3946EGTR1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.2 A
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)300 MHz

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CMLT3904EG NPN
CMLT3906EG PNP
CMLT3946EG NPN/PNP
ENHANCED SPECIFICATION
COMPLEMENTARY PICOmini
TM
SILICON TRANSISTORS
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT3904EG (two
single NPN), CMLT3906EG (two single PNP), and
CMLT3946EG (one each NPN and PNP complementary)
are combinations of enhanced specification transistors in
a space saving SOT-563 package, designed for small
signal general purpose amplifier and switching
applications.
Device is
Halogen Free
by design
Device is
RoHS
compliant
SOT-563 CASE
MARKING CODES:
CMLT3904EG: C4G
CMLT3906EG: C6G
CMLT3946EG: 46G
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
ENHANCED SPECIFICATIONS:
BVCBO from 40V MIN to 60V MIN (PNP)
BVEBO from 5.0V MIN to 6.0V MIN (PNP)
VCE(SAT) from 0.3V MAX to 0.2V MAX (NPN)
from 0.4V MAX to 0.2V MAX (PNP)
hFE from 60 MIN to 70 MIN (NPN/PNP)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
60
40
6.0
200
350
300
150
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
mW
mW
°C
°C/W
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation (Note 1)
Power Dissipation (Note 2)
Power Dissipation (Note 3)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance (Note 1)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
SYMBOL
ICEV
BVCBO
BVCEO
TEST CONDITIONS
VCE=30V, VEB=3.0V
IC=10μA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=1.0V, IC=0.1mA
VCE=1.0V, IC=1.0mA
MIN
60
40
6.0
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN
PNP
TYP
TYP
MAX
50
115
60
7.5
.057
0.1
0.75
0.85
240
235
90
55
7.9
.05
0.1
0.75
0.85
130
150
0.1
0.2
0.85
0.95
UNITS
nA
V
V
V
V
V
V
V
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
0.65
90
100
hFE
Enhanced specification
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm
2
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm
2
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4 mm
2
R0 (19-February 2008)

CMLT3946EGTR1相似产品对比

CMLT3946EGTR1 CMLT3904EGTR1 CMLT3906EGTR1
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN and PNP Transistor Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A
最小直流电流增益 (hFE) 100 100 100
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN/PNP NPN PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz 300 MHz
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