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BYM36AZ

产品描述2.9 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小64KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
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BYM36AZ概述

2.9 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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BL
FEATURES
Low cos t
Low leakage
GALAXY ELECTRICAL
BYM36A(Z) - - - BYM36G(Z)
VOLTAGE RANGE: 200 --- 1400 V
CURRENT: 3.0 A
FAST RECOVERY RECTIFIERS
DO - 27
Diffus ed junction
Low forward voltage drop
High current capability
Eas ily cleaned with Freon, Alcohol,Is opropanol
nn
and s im ilar s olvents
MECHANICAL DATA
Cas e:JEDEC DO--27,m olded plas tic
Term inals : Axial lead ,s olderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.041 ounces ,1.15 gram s
Mounting pos ition: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient tem perature unles s otherwis e s pecified.
Single phas e,half wave,50Hz,res is tive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYM
36A
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectif ied current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYM
36B
400
280
200
BYM
36C
600
420
600
BYM
36D
800
560
800
3.0
BYM
36E
1000
700
1000
BYM
36F
1200
840
1200
BYM
36G
1400
980
1400
UNITS
V
V
V
A
V
RR M
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
200
140
200
Peak forw ard surge current
10ms single half -sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
100
200.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 3.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
1.57
5.0
100.0
150
32
22
-55 ---- + 150
-55 ---- + 150
250
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to am bient.
www.galaxycn.com
Document Number 0261041
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

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