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2C918

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, DIE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小29KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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2C918概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, DIE

2C918规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码S-XUUC-N
元件数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Data Sheet No. 2C918
Chip Type 2C918
Geometry 0013
Polarity NPN
Generic Packaged Parts:
2N918
Chip type
2C918
by Semicoa Semi-
conductors provides performance
similar to these devices.
Part Numbers:
2N918,
2N918UB, SD918, SD918F, SQ918,
SQ918F
Product Summary:
APPLICATIONS:
Designed for high fre-
quency oscillator, multiplier and driver
applications.
Features:
High frequency rating
Mechanical Specifications
Metallization
Bonding Pad Size
Die Thickness
Chip Area
Top Surface
Top
Backside
Emitter
Base
Al - 15 kÅ min.
Au - 6.5 kÅ nom.
2.7 mils x 2.7 mils
2.7 mils x 2.7 mils
8 mils nominal
16 mils x 16 mils
Silox Passivated
Electrical Characteristics
T
A
= 25
o
C
Parameter
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
Test conditions
I
C
= 3.0 mA, I
B
= 0
I
C
= 10 µA, I
E
= 0
I
E
= 10 µA, I
C
= 0
V
CB
= 15 V, I
E
= 0
I
C
= 3.0 mA dc, V
CE
= 1.0 V
Min
15
30
3.0
---
20
Max
---
---
---
10
---
Unit
V dc
V dc
V dc
nA
---
V
CE(sat)
I
C
= 30 mA dc, I
B
= 3.0 mA
---
0.3
V dc
Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less
than 300 µs, duty cycle less than 2%.
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