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BYG21M-E3

产品描述1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小90KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BYG21M-E3概述

1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214

BYG21M-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用FAST SOFT RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间0.12 µs
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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BYG21K-E3/HE3, BYG21M-E3/HE3
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Fast Avalanche SMD Rectifier
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Glass passivated junction
• Low reverse current
• Soft recovery characteristic
• Fast reverse recovery time
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
260 °C
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
DO-214AC (SMA)
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
t
rr
E
R
T
J
max.
Package
Diode variation
1.5 A
800 V, 1000 V
30 A
1.0 μA
1.6 V
120 ns
20 mJ
150 °C
DO-214AC (SMA)
Single die
For use in fast switching rectification of power supply,
inverters, converters, and freewheeling diodes for
consumer, automotive, and telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Color band denotes the cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Average forward current
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Pulse energy in avalanche mode, non repetitive
(inductive load switch off) I
(BR)R
= 1 A, T
J
= 25 °C
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
E
R
T
J
, T
STG
SYMBOL
BYG21K
BYG21K
800
1.5
30
20
- 55 to + 150
BYG21M
BYG21M
1000
V
A
A
mJ
°C
UNIT
Revision: 21-Aug-13
Document Number: 88961
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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描述 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 - R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 -
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 -
Base Number Matches 1 1 - 1 1 -
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