hochtemperaturbeständig, Liefermöglichkeiten auf Anfrage
Standard /
Standard
Mounting Type
/
Befestigungsarten
W
T
Z
Float mounted (see page 15)
/
Schwimmend (siehe Seite15)
Clinch nut 4-40 UNC (see page 59)
/
Einnietmutter 4-40 UNC (siehe Seite 59)
Clinch nut M3 (see page 59)
/
Einnietmutter M3 (siehe Seite 59)
Einnietmutter 4-40 UNC, selbstsichernd (siehe Seite 59)
Einnietmutter M3, selbstsichernd (siehe Seite 59)
TS
Clinch nut 4-40 UNC, self locking (see page 59)
ZS
Clinch nut M3, self locking (see page 59)
No. of Contacts /
Polzahl
Shell size /
Gehäusegröße
09
1
15
2
25
3
37
4
50
5
Contact Type /
Kontaktart
P
Pin contacts /
Stiftkontakte
S
Socket contacts /
Buchsenkontakte
Contact Design (e. g.)
/
Kontaktvariante (z. B.)
0
1
4
5
14
Solder pot
/
Löttopf
Straight PCB termination /
Leiterplattenanschluss, gerade
Wire-wrap /
Wire Wrap
Right angled PCB termination /
Leiterplattenanschluss, abgewinkelt
Straight PCB termination
/
Leiterplattenanschluss, gerade
For more contacts see page 16 onwards
/
Weitere Kontakte siehe Seite 16 ff.
Machined contacts /
Gedrehte Kontakte
S
Stamped contacts
/
Gestanzte Kontakte
Direction of Right Angled Contacts
/
Richtung der abgewinkelten Kontakte
Standard /
Standard
R
Reverse (Not available with stamped contacts)
/
Revers (nicht mit gestanzten Kontakten möglich)
Performance Classes Available in Accordance with DIN 41652
/
Lieferbare Gütestufen nach DIN 41652
Standard insulator /
Standardisolierkörper
G1
= 500 Contact cycles
/
Steckzyklen
= Performance class 1
/
Gütestufe 1
G2
= 200 Contact cycles
/
Steckzyklen
= Performance class 2
/
Gütestufe 2
G3
= 50 Contact cycles
/
Steckzyklen
= Performance class 3
/
Gütestufe 3
Pin connector with dimples
/
Stiftsteckverbinder mit Kontaktnoppen
FM insulator /
FM-Isolierkörper
All connectors are in accordance with the standards of performance class 1; no performance class
number necessary! (1.3 µm (51 microinches) Au over Ni)
Alle Steckverbinder erfüllen die Anforderungen der Gütestufe 1; Typenbezeichnung ohne Gütestufen!
(1,3 µm Au über Ni)
Modifications
/
Modifikationen
ALL DIMENSIONS IN MILLIMETERS - VALUES FOR INCHES IN BRACKETS - TECHNICAL DATA SUBJECT TO CHANGE
DS 10/2007
9
Technical Data
Technische Daten
Mechanical Data
Mechanische Daten
Mechanical Data
Mechanische Daten
Mating force per signal contact
Steckkraft pro Signalkontakt
Unmating force per signal contact
Ziehkraft pro Signalkontakt
max. torque *
max. Anzugsmoment *
* Not for locking screws
* Nicht für Verriegelungsschrauben
3,4 N
0,2 N
40 Ncm (0,295 ft.lb.)
40 Ncm
Electrical Data
Elektrische Daten
Electrical Data
Elektrische Daten
Current rating at room temperature
Maximale Stromstärke bei Raumtemperatur
Test voltage between 2 contacts / shell and contact
Prüfspannung zwischen 2 Kontakten bzw. Kontakt und Gehäuse
Meets transition resistance requirements per contact pair in line with DIN 41652:
Erfüllt Übergangswiderstand pro Kontaktpaar nach DIN 41652 für:
- Straight contacts
/
gerade Kontakte
- Right angled contacts
/
abgewinkelte Kontakte
- Right angled contacts - 50 way
/
abgewinkelte Kontakte bei 50 Polen
Insulation resistance between contacts
Isolationswiderstand Kontakt / Kontakt
Volume resistivity
Spezifischer Durchgangswiderstand
Dielectric strength
Spezifische Durchschlagsfestigkeit
5A
1200 V / 1 min.
10 m
25 m
35 m
5000 M
10
16
cm
50 kV / mm
Materials and Platings
Materialien und Oberflächen
Materials and Platings
Materialien und Oberflächen
Shell
Gehäuse
Type /
Type
Insulator
Isolierkörper
Steel
Stahl
FH
Polyester, heat resistant,
glass filled (UL94V-0), natural
Polyester,
hochtemperaturbeständig,
glasfaserverstärkt (UL94V-0), natur
150 °C (302 °F)
F
Polyester, glass filled
(UL94V-0), white
Polyester, glasfaserverstärkt
(UL94V-0), weiß
FM
Polyester, glass filled (UL94V-0),
green
Polyester, glasfaserverstärkt
(UL94V-0), grün
Relative temperature index according
to UL 746 B
rel.
Temperaturindex nach
UL 746 B
Heat deflection temperature limit
according to DIN 53461 HDT/A
Formbeständigkeitstemperatur nach
DIN 53461 HDT/A
Sub temperature limit
Untere Grenztemperatur
Shell plating (standard)
Gehäuseoberfläche (Standard)
Shell (standard)
Gehäuse (Standard)
Shell (K120)
Gehäuse (K120)
125 °C (257 °F)
130 °C (266 °F)
200 °C (392 °F)
255 °C ( 491 °F)
210 °C (410 °F)
-55 °C (-67 °F)
Tin plated over nickel
verzinnt über Nickel
-55 °C (-67 °F)
-55 °C (-67 °F)
Yellow chromate over zinc plating
Not RoHS compliant
verzinkt und gelb chromatiert
nicht RoHS konform
Pin connector shell without dimples
Stiftsteckverbindergehäuse ohne
Kontaktnoppen
Tin plated over nickel, pin connector
shell
with
dimples
verzinnt über Nickel,
Stiftsteckverbindergehäuse
mit
Kontaktnoppen
Tin plated over nickel, pin connector
shell
without
dimples
verzinnt über Nickel,
Stiftsteckverbindergehäuse
ohne
Kontaktnoppen
Pin connector shell with dimples
Stiftsteckverbindergehäuse mit Kontaktnoppen
Shell (K121)
Gehäuse (K121)
Contact material
Kontaktmaterial
Copper alloy
Kupfer-Legierung
10
DS 10/2007
TECHNISCHE ÄNDERUNGEN VORBEHALTEN – MAßE IN MILLIMETER (INCHES IN KLAMMERN)
Technical Data
Technische Daten
Modifications
Modifikationen
All FCT D-Sub connectors (including crimp versions etc.) are available in many different combinations of materials and platings. For example, shells can
be supplied in a non – magnetic version made of brass, which can be electroless nickel, or gold plated for use in aerospace technology.
Alle FCT D-Sub Steckverbinder (auch Crimp Versionen, usw.) sind in vielen verschiedenen Material- und Oberflächenkombinationen erhältlich. So z. B.
Gehäuse in nichtmagnetischer Ausführung aus Messing bzw. chemisch vernickelte oder vergoldete Gehäuse für Luft- und Raumfahrtanwendungen.
Contact Arrangements
Polbilder
Face view of socket connector
Blick auf Steckseite Buchsensteckverbinder
Face view of pin connector
Blick auf Steckseite Stiftsteckverbinder
Shell Size
Gehäusegröße
Number of Contacts
Polzahl
Pin Connector, Connecting Side
Stiftsteckverbinder, Ansicht steckseitig
1
9
2
15
3
25
4
37
5
50
DS 10/2007
ALL DIMENSIONS IN MILLIMETERS - VALUES FOR INCHES IN BRACKETS - TECHNICAL DATA SUBJECT TO CHANGE
在全球半导体产业因景气不佳而纷传并购、整合之际，两大IT巨头三星、IBM日前却双双宣布，将强化半导体产业投资。 三星电子本周一宣布，已向韩国证券交易所提交一份申请文件，打算2008年投下10.5亿美元，用于升级内存芯片生产线、改进技术工艺，从而提高产能并降低成本。无独有偶。本周二IBM公司宣布，未来3年将投资10亿美元，用于扩充位于纽约州 East Fishkill 的半导体工厂，以消...[详细]
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