电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

NANDD3R4N5CZCC5F

产品描述Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA137
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共52页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

NANDD3R4N5CZCC5F概述

Memory Circuit, Flash+SDRAM, PBGA137

NANDD3R4N5CZCC5F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
包装说明FBGA, BGA137,10X15,32
Reach Compliance Codecompliant
JESD-30 代码R-PBGA-B137
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
混合内存类型FLASH+SDRAM
端子数量137
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA137,10X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 329  949  1005  1081  1344 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved