NM27LV512JQE250概述

64KX8 OTPROM, 250ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28

NM27LV512JQE250规格参数

	NM27LV512JQE250	NM27LV512JQ200
描述	64KX8 OTPROM, 250ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	IC 64K X 8 OTPROM, 200 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM
零件包装代码	DIP	DIP
包装说明	WDIP,	WDIP,
针数	28	28
Reach Compliance Code	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
最长访问时间	250 ns	200 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28
内存密度	524288 bit	524288 bi
内存集成电路类型	OTP ROM	OTP ROM
内存宽度	8	8
功能数量	1	1
端子数量	28	28
字数	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C
组织	64KX8	64KX8
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	WDIP	WDIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.715 mm	5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL
宽度	15.24 mm	15.24 mm

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ