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BFG425W

产品描述L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小10MB,共130页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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BFG425W概述

L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

L波段, 硅, NPN, 射频小信号晶体管

BFG425W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明PLASTIC PACKAGE-4
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)0.03 A
集电极-发射极最大电压4.5 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.135 W
最大功率耗散 (Abs)0.135 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)25000 MHz

 
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