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BF909WR

产品描述SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小10MB,共130页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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BF909WR概述

SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE

BF909WR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明MICROMINIATURE, PLASTIC PACKAGE-4
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接SOURCE
配置COMPLEX
最小漏源击穿电压7 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.04 A
最大漏极电流 (ID)0.04 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)0.05 pF
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
元件数量2
端子数量4
工作模式DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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