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8403606JA

产品描述2KX8 STANDARD SRAM, 70ns, CDIP24, CERAMIC, DIP-24
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文件大小336KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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8403606JA概述

2KX8 STANDARD SRAM, 70ns, CDIP24, CERAMIC, DIP-24

8403606JA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP24,.6
针数24
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
电源5 V
认证状态Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度5.72 mm
最大待机电流0.000025 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
宽度15.24 mm

8403606JA相似产品对比

8403606JA HM1-65162C/883 8403602JA JPJ2063-01-154 8403603JA
描述 2KX8 STANDARD SRAM, 70ns, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 2KX8 STANDARD SRAM, 90ns, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 2KX8 STANDARD SRAM, 90ns, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 Audio/RCA Connector, 6 Pole(s), Solid Lead Terminal, Jack 2KX8 STANDARD SRAM, 90ns, CDIP24, CERAMIC, DIP-24
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant unknown not_compliant
是否无铅 含铅 含铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 DIP DIP DIP - DIP
包装说明 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 - DIP, DIP24,.6
针数 24 24 24 - 24
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C - 3A001.A.2.C
最长访问时间 70 ns 90 ns 90 ns - 90 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON - COMMON
JESD-30 代码 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24 - R-GDIP-T24
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e0
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit - 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 - 8
功能数量 1 1 1 - 1
端子数量 24 24 24 - 24
字数 2048 words 2048 words 2048 words - 2048 words
字数代码 2000 2000 2000 - 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C - 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C - -55 °C
组织 2KX8 2KX8 2KX8 - 2KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED - CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP - DIP
封装等效代码 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6 - DIP24,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE - IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE - NOT APPLICABLE
电源 5 V 5 V 5 V - 5 V
认证状态 Qualified Not Qualified Qualified - Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 - MIL-STD-883
座面最大高度 5.72 mm 5.72 mm 5.72 mm - 5.72 mm
最大待机电流 0.000025 A 0.0003 A 0.00004 A - 0.0003 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V - 2 V
最大压摆率 0.07 mA 0.085 mA 0.09 mA - 0.09 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V - 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V - 5 V
表面贴装 NO NO NO - NO
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY - MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped - Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm - 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE - NOT APPLICABLE
宽度 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm - 15.24 mm

 
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