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SPT6235/66S

产品描述Power Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小135KB,共2页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
下载文档 详细参数 全文预览

SPT6235/66S概述

Power Bipolar Transistor

SPT6235/66S规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompli
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5 A
基于收集器的最大容量250 pF
集电极-发射极最大电压325 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)9
最大降落时间(tf)800 ns
JEDEC-95代码TO-66
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)50 W
参考标准MIL-19500
最大上升时间(tr)750 ns
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
最大关闭时间(toff)5800 ns
VCEsat-Max2.5 V
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