Power Bipolar Transistor
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code | compli |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 5 A |
基于收集器的最大容量 | 250 pF |
集电极-发射极最大电压 | 325 V |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 9 |
最大降落时间(tf) | 800 ns |
JEDEC-95代码 | TO-66 |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 50 W |
参考标准 | MIL-19500 |
最大上升时间(tr) | 750 ns |
表面贴装 | NO |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 20 MHz |
最大关闭时间(toff) | 5800 ns |
VCEsat-Max | 2.5 V |
Base Number Matches | 1 |
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