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7MBR25VW120-50

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-22
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小693KB,共8页
制造商Fuji Electric Co Ltd
标准
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7MBR25VW120-50概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-22

7MBR25VW120-50规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fuji Electric Co Ltd
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20
针数22
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置COMPLEX
JESD-30 代码R-XUFM-X20
元件数量7
端子数量20
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)530 ns
标称接通时间 (ton)390 ns

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