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IDT70V06S35F

产品描述Multi-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, CQFP68, QFP-68
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文件大小628KB,共17页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V06S35F概述

Multi-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, CQFP68, QFP-68

IDT70V06S35F规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明QFF,
针数68
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码S-CQFP-F68
JESD-609代码e0
长度24.0792 mm
内存密度131072 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QFF
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.683 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度24.0792 mm

IDT70V06S35F相似产品对比

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描述 Multi-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, CQFP68, QFP-68 Multi-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, CQFP68, QFP-68 Multi-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, CQFP68, QFP-68 Multi-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, CQFP68, QFP-68 Multi-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, CQFP68, QFP-68 Multi-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, CQFP68, QFP-68 Multi-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, CQFP68, QFP-68
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 符合 不符合 不符合
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 QFF, QFF, QFF, QFF, QFF, QFF, QFF,
针数 68 68 68 68 68 68 68
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 35 ns 35 ns 55 ns 55 ns 25 ns 25 ns 25 ns
其他特性 INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码 S-CQFP-F68 S-CQFP-F68 S-CQFP-F68 S-CQFP-F68 S-CQFP-F68 S-CQFP-F68 S-CQFP-F68
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e3 e0 e0
长度 24.0792 mm 24.0792 mm 24.0792 mm 24.0792 mm 24.0792 mm 24.0792 mm 24.0792 mm
内存密度 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bi 131072 bi
内存集成电路类型 MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2 2 2 2
端子数量 68 68 68 68 68 68 68
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QFF QFF QFF QFF QFF QFF QFF
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225 260 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.683 mm 3.683 mm 3.683 mm 3.683 mm 3.683 mm 3.683 mm 3.683 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD MATTE TIN TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 30
宽度 24.0792 mm 24.0792 mm 24.0792 mm 24.0792 mm 24.0792 mm 24.0792 mm 24.0792 mm
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
最小待机电流 - 2 V 2 V - 2 V 2 V -
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