EEPROM, 8KX8, 450ns, Parallel, NMOS, PDIP28, DIP-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 450 ns |
| 其他特性 | DATA RETENTION = 10 YEARS |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 37.1 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 8KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 页面大小 | 32 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.72 mm |
| 最大压摆率 | 0.11 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO |
| 宽度 | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| BR2864A-450 | BR2864A-300 | BR2864A-350 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 8KX8, 450ns, Parallel, NMOS, PDIP28, DIP-28 | EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, NMOS, PDIP28, DIP-28 | EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, NMOS, PDIP28, DIP-28 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) | ROHM(罗姆半导体) | ROHM(罗姆半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 | DIP, DIP28,.6 | DIP, DIP28,.6 |
| 针数 | 28 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 450 ns | 300 ns | 350 ns |
| 其他特性 | DATA RETENTION = 10 YEARS | DATA RETENTION = 10 YEARS | DATA RETENTION = 10 YEARS |
| 命令用户界面 | NO | NO | NO |
| 数据轮询 | YES | YES | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 10 | 10 | 10 |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 37.1 mm | 37.1 mm | 37.1 mm |
| 内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | DIP28,.6 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 页面大小 | 32 words | 32 words | 32 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.72 mm | 4.72 mm | 4.72 mm |
| 最大压摆率 | 0.11 mA | 0.11 mA | 0.11 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | NMOS | NMOS | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO | NO | NO |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms | 10 ms |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
