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BC868-10

产品描述1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小261KB,共3页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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BC868-10概述

1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

1 A, 20 V, NPN, 硅, 功率晶体管

BC868-10规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流1 A
最大集电极发射极电压20 V
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式FLAT
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接COLLECTOR
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
晶体管类型通用电源
最小直流放大倍数85
额定交叉频率40 MHz

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
BC868-10/16/25
0.5W
NPN Medium


Power Transistors









































Features
High current
Low voltage
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=100uAdc, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=1mAdc, I
B
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=100uAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=25c, I
E
=0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=5.0Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain
(I
C
=50mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
DC Current Gain
(I
C
=1Adc, V
CE
=1.0Vdc)
DC Current Gain
(I
C
=5mAdc , V
CE
=10Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=1Adc, I
B
=100mAdc)
Base-Emitter On Voltage(1)
( I
C
=5mAdc, V
CE
=10Vdc )
Base-Emitter On Voltage(2)
( I
C
=1dc, V
CE
=1Vdc )
Transition Frequency
(I
C
=10mAdc, V
CE
=5Vdc, f=100MHZ)
Min
32
20
5.0
---
---
Max
---
---
---
0.1
0.1
Units
Vdc
Vdc
Vdc
uAdc
uAdc
SOT-89
A
B
K
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
E
C
D
G
H
J
F
ON CHARACTERISTICS
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3
V
CE(sat)
V
BE(on)
V
BE(on)
85
60
50
---
---
---
375
---
---
0.5
0.62
(Typ)
1
---
---
---
Vdc
Vdc
Vdc
1
2
3
1.
BASE
2.
COLLECTOR
3.
EMITTER
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
40
---
MHz











CLASSIFICATION OF H
FE (1)
Rank
Range
Marking
BC868-10
85-160
CBC
BC868-16
120-200
CCC
BC868-25
160-375
CDC

 


 

 




1.55

.061




25

































REF.








www.mccsemi.com
Revision:
A
1 of 3
2011/01/01

BC868-10相似产品对比

BC868-10 BC868-16 BC868-25
描述 1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量 3 3 3
晶体管极性 NPN NPN NPN
最大集电极电流 1 A 1 A 1 A
最大集电极发射极电压 20 V 20 V 20 V
状态 ACTIVE TRANSFERRED DISCONTINUED
包装形状 矩形的 矩形的 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 单一的 单一的 单一的
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的 单一的
元件数量 1 1 1
晶体管元件材料
晶体管类型 通用电源 通用小信号 通用小信号
最小直流放大倍数 85 100 160
额定交叉频率 40 MHz 60 MHz 40 MHz
壳体连接 COLLECTOR COLLECTOR -
晶体管应用 开关 放大器 -
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