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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BC847AT
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BC847AT

产品描述100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小343KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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BC847AT概述

100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

100 mA, 45 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

BC847AT规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)110
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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BC846T SERIES
BC847T SERIES
SURFACE MOUNT
NPN SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC846T and
BC847T Series types are NPN Silicon Transistors
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy
molded in a surface mount package, designed for
general purpose switching and amplifier applications.
MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE
ON FOLLOWING PAGE
SOT-523 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Peak Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
ICBO
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCBO
BVCEO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(ON)
VBE(ON)
fT
Cc
Ce
NF
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IBM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
BC847T
50
45
BC846T
80
65
5.0
100
200
100
250
-65 to +150
500
UNITS
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C/W
CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless
TEST CONDITIONS
VCB=30V
VCB=30V, TA=150°C
VEB=5.0V
IC=10μA (BC847T)
IC=10μA (BC846T)
IC=10mA (BC847T)
IC=10mA (BC846T)
IE=10μA
IC=10mA, IB=0.5mA
IC=100mA, IB=5.0mA
IC=2.0mA, VCE=5.0V
IC=10mA, VCE=5.0V
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=5.0V, IC=200μA,
RS=2.0KΩ f=1.0KHz, BW=200Hz
otherwise noted)
MIN
TYP
MAX
15
5.0
100
50
80
45
65
5.0
0.20
0.40
0.70
0.77
1.5
11
10
BC846BT
BC847BT
MIN
MAX
200
450
0.58
100
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
dB
BC847CT
MIN
MAX
420
800
hFE
VCE=5.0V, IC=2.0mA
BC846AT
BC847AT
MIN
MAX
110
220
R1 (20-November 2009)

BC847AT相似产品对比

BC847AT BC846T BC847BT BC847CT HFE22-A/6-H2T22-R BC846BT
描述 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR MINIATURE HIGH POWER LATCHING RELAY 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 - 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数 3 - 3 3 - 3
Reach Compliance Code _compli - _compli _compli - _compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 - EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A - 0.1 A
集电极-发射极最大电压 45 V - 45 V 45 V - 65 V
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 110 - 200 420 - 200
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 - R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 - R-PDSO-F3
JESD-609代码 e0 - e0 e0 - e0
元件数量 1 1 1 1 - 1
端子数量 3 3 3 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN - NPN NPN - NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W - 0.25 W 0.25 W - 0.25 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES - YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT GULL WING FLAT FLAT - FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz - 100 MHz 100 MHz - 100 MHz

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