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CA3083H

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 5-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共4页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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CA3083H概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 5-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN

CA3083H规格参数

参数名称属性值
厂商名称Harris
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N16
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压15 V
配置SEPARATE, 5 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)40
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N16
元件数量5
端子数量16
最高工作温度125 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)450 MHz
VCEsat-Max0.7 V

CA3083H相似产品对比

CA3083H
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 5-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN
厂商名称 Harris
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N16
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A
集电极-发射极最大电压 15 V
配置 SEPARATE, 5 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 40
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-XUUC-N16
元件数量 5
端子数量 16
最高工作温度 125 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 450 MHz
VCEsat-Max 0.7 V
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