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2N5781

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小77KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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2N5781概述

Small Signal Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN

2N5781规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-39
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3.5 A
集电极-发射极最大电压65 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)4
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8 MHz
最大关闭时间(toff)2500 ns
最大开启时间(吨)500 ns
Base Number Matches1

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