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UZX5T849GTA

产品描述Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小121KB,共6页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
标准
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UZX5T849GTA概述

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

UZX5T849GTA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SOT-223, 4 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)7 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)140 MHz

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ZX5T849G
30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
SUMMARY
BV
CEO
= 30V : R
SAT
= 28m ; I
C
= 7A
DESCRIPTION
Packaged in the SOT223 outline this new 5th generation low saturation 30V
NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in
DC-DC circuits and various driving and power management functions.
FEATURES
Extemely low equivalent on-resistance;
R
SAT
= 28m at 6.5A
7 amps continuous current
Up to 20 amps peak current
Very low saturation voltages
Excellent h
FE
characteristics up to 20 amps
SOT223
APPLICATIONS
DC - DC converters
MOSFET gate drivers
Charging circuits
Power switches
Motor control
ORDERING INFORMATION
DEVICE
ZX5T849GTA
ZX5T849GTC
REEL
SIZE
7”
13"
TAPE
WIDTH
12mm
embossed
QUANTITY PER
REEL
1000 units
4000 units
PINOUT
DEVICE MARKING
X5T849
TOP VIEW
ISSUE 1 - NOVEMBER 2003
1
SEMICONDUCTORS

UZX5T849GTA相似产品对比

UZX5T849GTA UZX5T849GTC
描述 Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SOT-223, 4 PIN SOT-223, 4 PIN
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 7 A 7 A
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 4 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 140 MHz 140 MHz
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