Flash, 8MX32, 110ns, PBGA159, 13 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-159
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Mercury Systems Inc |
包装说明 | BGA, |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 110 ns |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B159 |
内存密度 | 268435456 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 32 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 159 |
字数 | 8388608 words |
字数代码 | 8000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 8MX32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
编程电压 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
W78M32VP110BM | W78M32VP-120BM | W78M32VP-120BI | W78M32VP110BI | |
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描述 | Flash, 8MX32, 110ns, PBGA159, 13 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-159 | Flash, 8MX32, 120ns, PBGA159, BGA-159 | Flash, 8MX32, 120ns, PBGA159, BGA-159 | Flash, 8MX32, 110ns, PBGA159, 13 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-159 |
厂商名称 | Mercury Systems Inc | Mercury Systems Inc | Mercury Systems Inc | Mercury Systems Inc |
包装说明 | BGA, | BGA, | BGA, | BGA, |
Reach Compliance Code | compliant | unknown | unknown | compliant |
最长访问时间 | 110 ns | 120 ns | 120 ns | 110 ns |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B159 | R-PBGA-B159 | R-PBGA-B159 | R-PBGA-B159 |
内存密度 | 268435456 bit | 268435456 bit | 268435456 bit | 268435456 bit |
内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
内存宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 159 | 159 | 159 | 159 |
字数 | 8388608 words | 8388608 words | 8388608 words | 8388608 words |
字数代码 | 8000000 | 8000000 | 8000000 | 8000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 8MX32 | 8MX32 | 8MX32 | 8MX32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
编程电压 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
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