2N6718G-B-T6C-K,2N6718G-B-T6C-K pdf中文资料,2N6718G-B-T6C-K引脚图,2N6718G-B-T6C-K电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2N6718G-B-T6C-K

2N6718G-B-T6C-K: 产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126C, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小166KB，共4页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

2N6718G-B-T6C-K概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126C, 3 PIN

2N6718G-B-T6C-K规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SIP
包装说明	TO-126C, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	100 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	95
JEDEC-95代码	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	1.6 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz
Base Number Matches	1

2N6718G-B-T6C-K相似产品对比

	2N6718G-B-T6C-K	2N6718G-A-T92-K	2N6718G-A-AB3-R	2N6718G-A-T92-B	2N6718G-B-AB3-R	2N6718G-A-T6C-K	2N6718G-B-T92-B	2N6718G-B-T92-K
描述	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126C, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN,	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN,	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN,	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN,	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126C, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN,	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN,
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	TO-126C, 3 PIN	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	TO-126C, 3 PIN	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	95	50	50	50	95	50	95	95
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	O-PBCY-T3	R-PSSO-F3	O-PBCY-T3	R-PSSO-F3	R-PSFM-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	125 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	125 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	1.6 W	0.85 W	0.5 W	0.85 W	0.5 W	1.6 W	0.85 W	0.85 W
表面贴装	NO	NO	YES	NO	YES	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	BOTTOM	SINGLE	BOTTOM	SINGLE	SINGLE	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz	50 MHz	50 MHz	50 MHz	50 MHz	50 MHz	50 MHz	50 MHz
JEDEC-95代码	TO-126	TO-92	-	TO-92	-	TO-126	TO-92	TO-92
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多