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IDT70105S25L52B

产品描述Multi-Port SRAM, 1KX9, 25ns, CMOS, CQCC52
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文件大小787KB,共15页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70105S25L52B概述

Multi-Port SRAM, 1KX9, 25ns, CMOS, CQCC52

IDT70105S25L52B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-XQCC-N52
JESD-609代码e0
内存密度9216 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度9
端口数量2
端子数量52
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCN
封装等效代码LCC52,.75SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间6
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