RN1101ACT~RN1106ACT
東芝トランジスタ
シリコンNPNエピタキシャル½
(PCT方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN1101ACT,RN1102ACT,RN1103ACT
RN1104ACT,RN1105ACT,RN1106ACT
○
スイッチング用
○
インバータ回路用
○
インタフェース回路用
○
ドライバ回路用
•
•
•
超小型パッケージ
(CST3)
のため超高密度実装に適しています。
バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため、部品点数の削減
による機器の小型化, 組み立ての省力化が可½です。
RN2101ACT ~ RN2106ACT
とコンプリメンタリになります。
1.0±0.05
単½:
mm
0.6±0.05
0.5±0.03
0.25±0.03
３
0.65±0.02
１
0.25±0.03
２
0.35±0.02
0.15±0.03
0.05±0.03
C
Type No.
RN1101ACT
RN1102ACT
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
B
R1
R2
CST3
JEDEC
JEITA
東
芝
1.ベース
2.エミッタ
3.コレクタ
―
―
2-1J1A
RN1103ACT
RN1104ACT
E
RN1105ACT
RN1106ACT
質量:
0.75 mg (標準)
絶対最大定格
(Ta = 25°C)
項
コレクタ½ベース間電圧
コレクタ½エミッタ間電圧
エミッタ½ベース間電圧
コ
コ
接
保
レ
レ
ク
ク
合
存
タ
タ
温
温
電
損
流
失
度
度
RN1101ACT~1106ACT
RN1101ACT~1104ACT
RN1105ACT, 1106ACT
目
RN1101ACT~1106ACT
記 号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
定
50
50
10
5
80
100 *
150
−55
~ 150
格
単½
V
V
V
mA
mW
°C
°C
:
FR4 基板実装時(10
mm
×
10 mm
×
1 mmt)
注: 本½品の½用条件 (½用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での½用においても、高負荷 (高温および大電
流高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して½用される場合は、信頼性が著しく½下するおそれがあります。
弊社半導½信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
1
2009-05-08
0.38 +0.02
-0.03
等価回路とバイアス抵抗値
0.05±0.03
RN1101ACT~RN1106ACT
電気的特性
(Ta = 25°C)
項
コレクタしゃ断電流
目
RN1101ACT~1106ACT
RN1101ACT
RN1102ACT
エミッタしゃ断電流
RN1103ACT
RN1104ACT
RN1105ACT
RN1106ACT
RN1101ACT
RN1102ACT
直 流 電 流 増 幅 率
RN1103ACT
RN1104ACT
RN1105ACT
RN1106ACT
コレクタ½エミッタ間
½
和
電
圧
RN1101ACT
V
CE (sat)
RN1102ACT~1106ACT
RN1101ACT
RN1102ACT
入
力
オ
ン
電
圧
RN1103ACT
RN1104ACT
RN1105ACT
RN1106ACT
入
力
オ
フ
電
圧
RN1101ACT~1104ACT
RN1105ACT, 1106ACT
RN1101ACT~1106ACT
RN1101ACT
RN1102ACT
入
力
抵
抗
RN1103ACT
RN1104ACT
RN1105ACT
RN1106ACT
RN1101ACT~1904ACT
抵
抗
比
率
RN1105ACT
RN1106ACT
R1/R2
⎯
R1
⎯
V
I (OFF)
C
ob
V
CE
=
5 V, I
C
=
0.1 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0,
f
=
1 MHz
V
I (ON)
V
CE
=
0.2 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
5 mA,
I
B
=
0.5 mA
I
C
=
5 mA,
I
B
=
0.25 mA
h
FE
V
CE
=
5 V, I
C
=
10 mA
I
EBO
V
EB
=
10 V, I
C
=
0
記 号
I
CBO
I
CEO
測 定 条 件
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
最小
⎯
⎯
0.89
0.41
0.18
0.088
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
0.085
0.08
30
50
70
80
80
80
標準
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
最大
100
500
1.33
0.63
0.29
0.133
0.127
0.121
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
mA
単½
nA
⎯
⎯
0.15
V
1.2
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
0.8
0.5
⎯
3.76
8
17.6
37.6
1.76
3.76
0.8
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
0.7
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
2.2
2.6
3.5
5.0
1.1
1.3
1.5
0.8
⎯
5.64
12
26.4
56.4
2.64
5.64
1.2
kΩ
V
pF
V
コ レ ク タ 出 力 容 量
0.0376 0.0468 0.0562
0.08
0.1
0.12
2
2009-05-08
RN1101ACT~RN1106ACT
RN1101ACT
エミッタ接地
VCE = 0.2V
コレクタ電流
IC
(mA)
コレクタ電流
IC
(mA)
IC - VI(ON)
100
RN1102ACT
エミッタ接地
VCE= 0.2V
IC - VI (ON)
100
10
10
Ta=100°C
1
25
-25
Ta=100°C
1
25
-25
0.1
0.1
10
入力オン電圧
VI (ON) ( V)
1
100
0.1
0.1
10
入力オン電圧
VI (ON) ( V)
1
100
100
RN1103ACT
エミッタ接地
VCE= 0.2V
IC - VI (ON)
100
RN1104ACT
エミッタ接地
VCE= 0.2V
IC - VI (ON)
コレクタ電流
IC
(mA)
10
Ta=100°C
25
1
-25
コレクタ電流
IC
(mA)
10
Ta=100°C
25
1
-25
0.1
0.1
10
入力オン電圧
VI (ON) ( V)
1
100
0.1
0.1
10
入力オン電圧
VI (ON) ( V)
1
100
100
RN1105ACT
エミッタ接地
VCE = 0.2V
IC - VI (ON)
100
RN1106ACT
エミッタ接地
VCE = 0.2V
IC - VI (ON)
コレクタ電流
IC
(mA)
10
Ta=100°C
コレクタ電流
IC
(mA)
10
Ta=100°C
1
25
-25
1
25
-25
0.1
0.1
10
入力オン電圧
VI (ON) ( V)
1
100
0.1
0.1
10
入力オン電圧
VI (ON) ( V)
1
100
3
2009-05-08
RN1101ACT~RN1106ACT
RN1101ACT
IC - VI(OFF)
10000
エミッタ接地
VCE = 5V
コレクタ電流
IC
(μA)
RN1102ACT
IC - VI (OFF)
10000
エミッタ接地
VCE = 5V
コレクタ電流
IC
(μA)
1000
Ta=100°C
25
-25
1000
Ta=100°C
25
-25
100
100
10
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2.2
入力オフ電圧
VI (OFF) ( V)
10
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2.2
入力オフ電圧
VI (OFF) ( V)
RN1103ACT
10000
IC - VI (OFF)
10000
RN1104ACT
IC - VI (OFF)
エミッタ接地
VCE= 5V
コレクタ電流
IC
(μA)
コレクタ電流
IC
(μA)
エミッタ接地
VCE= 5V
1000
Ta=100°C
25
-25
1000
Ta=100°C
-25
100
100
25
10
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
入力オフ電圧
VI (OFF) ( V)
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
入力オフ電圧
VI (OFF) ( V)
RN1105ACT
10000
IC - VI (OFF)
10000
RN1106ACT
IC - VI (OFF)
エミッタ接地
VCE = 5V
コレクタ電流
IC
(μA)
コレクタ電流
IC
(μA)
エミッタ接地
VCE = 5V
1000
Ta=100°C
25
-25
1000
Ta=100°C
25
-25
100
100
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
入力オフ電圧
VI (OFF) ( V)
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
入力オフ電圧
VI (OFF) ( V)
4
2009-05-08
RN1101ACT~RN1106ACT
RN1101ACT
1000
エミッタ接地
VCE = 5V
直流電流増幅率
hFE
100
直流電流増幅率
hFE
hFE - IC
1000
エミッタ接地
VCE = 5V
RN1102ACT
hEE - IC
Ta=100°C
25
-25
10
100
Ta=100°C
25
-25
1
1
10
コレクタ電流
IC (mA)
100
10
1
10
コレクタ電流
IC (mA)
100
RN1103ACT
1000
エミッタ接地
VCE= 5V
直流電流増幅率
hFE
hFE - IC
1000
RN1104ACT
エミッタ接地
VCE= 5V
直流電流増幅率
hFE
Ta=100°C
hFE- IC
Ta=100°C
100
-25
25
100
-25
25
10
1
10
コレクタ電流
IC (mA)
100
10
1
10
コレクタ電流
IC(mA)
100
RN1105ACT
1000
エミッタ接地
VCE = 5V
直流電流増幅率
hFE
hFE - IC
1000
1000
RN1106ACT
RN1106AFS
RN1106ACT
エミッタ接地
エミッタ接地
VCE = 5V
VCE = 5V
hFE -
-
IC
hFE IC
直流電流増幅率
hFE
Ta=100°C
100
-25
25
Ta=100°C
Ta=100°C
100
100
-25
25
-25
10
1
10
コレクタ電流
IC (mA)
100
10
10
1
1
10
10
コレクタ電流
IC (mA)
コレクタ電流
IC (mA)
100
5
2009-05-08
京公网安备 11010802033920号
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