Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 120 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
RN1113MFV(TL3PAV) | RN1112MFV(TPL3) | RN1113MFV(TPL3) | RN1112MFV(TL3PAV) | |
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描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | trans prebias npn 150mw vesm | trans prebias npn 150mw vesm | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
Reach Compliance Code | unknown | unknow | unknow | unknown |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | - |
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