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RN2105FT: 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小64KB，共3页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN2105FT概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN2105FT规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	TESM, 2-1B1A, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80
JESD-30 代码	R-PDSO-F3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz

RN2105FT相似产品对比

	RN2105FT	RN2104FT	RN2103FT	RN2102FT	RN2106FT
描述	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1B1A, TESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1B1A, TESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1B1A, TESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明	TESM, 2-1B1A, 3 PIN	2-1B1A, TESM, 3 PIN	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	TESM, 2-1B1A, 3 PIN	TESM, 2-1B1A, 3 PIN
针数	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80	80	70	50	80
JESD-30 代码	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz
厂商名称	Toshiba(东芝)	-	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0
端子面层	TIN LEAD	-	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
ECCN代码	-	-	EAR99	EAR99	EAR99

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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