European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
TT 180 F
35
28,5
5
6
115
80
9
18
M8
92
18
AK
K
K1 G1
K2 G2
A
VWK Okt. 1996
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
TT 180 F, TD 180 F, DT
Periodische Vorwärts- und Rückwärts- repetitive peak forward off-state and
Spitzensperrspannung
reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzenspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
Rückwärts-Stoßspitzenspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
RMS on-state current
average on-state current
surge current
∫I
t-value
critical rate of rise of on-state current
2
Electrical properties
Maximum rated values
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= +25°C...t
vj max
t
c
= 85°C
t
c
= 73°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
V
D
≤67%V
DRM
, f
0
=50Hz
I
GM
=1A, di
G
/dt=1A/µs
V
DRM
, V
RRM
V
DSM
= V
DRM
V
RSM
= V
RRM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
∫I
t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
2
800 1000 1100 1200
1300
+ 100
350
101
223
6700
6000
224000
180000
200
1) 2)
V
V
A
A
A
A
A
As
A
2
s
A/µs
2
critical rate of rise of off-state voltage t
vj
= t
vj max
, V
D
= 67% V
DRM
6.Kennbuchstabe/6th letter B
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter L
6.Kennbuchstabe/6th letter M
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 600 A
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 10
Ω
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 20
Ω
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 10 µs
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
t
vj
= 25°C, i
GM
=1 A, di
G
/dt =1 A/µs
siehe techn. Erl./see Techn. Inf.
50 50
500 500
500 50
1000 500
V/µs
V/µs
V/µs
V/µs
V
V
mΩ
mA
V
mA
V
mA
A
mA
µs
µs
µs
µs
kV
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Durchlaßspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Charakteristische Werte
Schleusenspannung
on-state voltage
Characteristic values
threshold voltage
slope resistance
v
T
V
T(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
i
D
, i
R
t
gd
t
q
, S:
E:
F:
max. 1,9
1,3
0,9
max. 250
max. 2,2
max. 10
max. 0,25
max. 250
max. 1
max. 50
max. 1,2
max. 18
max. 20
max. 25
3
max. 0,065
max. 0,13
max. 0,062
max. 0,124
max. 0,02
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
forward off-state and reverse
currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
Thermal properties
to case
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
V
ISOL
thermal resistance, junction
Θ
=180°el. sin: pro Modul/per module R
thJC
pro Zweig/per arm
DC: pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
t
vj max
t
c op
t
stg
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
R
thCK
max. 0,04 °C/W
125
°C
-40...+125
-40...+130
°C
°C
Mechanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmomente
mechanische Befestigung
elektrische Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
Maßbild
1)
2)
Mechanical properties
internal insulation
tightening torques
mounting torque
Si-pellet with pressure contact
AIN
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
f = 50 Hz
6
12
typ. 800
17
5
⋅
9,81
Nm
Nm
g
mm
m/s²
8
terminal connection torque
weight
creepage distance
vibration resistance
outline
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit. / Immediately after turn-off time.
Daten der Dioden siehe unter DD 242 S bei V
RRM
≤
1000 V und DD 241 S bei V
RRM
≥
1200 V
For data of the diode refer to DD 242 S at V
RRM
≤
1000 V and DD 241 S at V
RRM
≥
1200 V
TT 180 F, TD 180 F, DT 180 F können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeiensamer Kathode geliefert werden.
TT 180 F, TD 180 F, DT 180 F can also be supplied with common anode or common cathode.
TT 180 F
1 0
4
8
iT M
4
t
C
= 60°C
f
0
[
kHz
]
1 0
3
8
[A]
i
t
C
= 60°C
f
0
[
kHz
]
≤
0,4
0,4
1
1
2
3
2
5
3
[A]
TM
4
3
2
2
1 0
3
8
6
4
2
1 0
2
1 0
4
8
i
TM
TT 180 F4/1
3
5
2
1
0,4
0,25
0,1
0,0
5
1 0
2
8
6
4
t
C
= 80°C
f
0
[
kHz
]
1 0
3
8
[A]
i
5
TT 180 F13/4
t
C
= 80°C
f
0
[
kHz
]
≤
0,4
0,05
1
0,4
2
1
3
4
2
[A]
TM
4
3
2
1 0
3
8
6
4
2
1 0
2
8
1 0
4
i
3
5
2
1
0,4
0,25
0 ,
1
0,05
1 0
2
8
6
5
TT 180 F14/5
5
2
3
TT 180 F5/2
t
C
= 100°C
f
0
[
kHz
]
TM 4
[A]
2
10
8
6
4
2
1 0
2
5
3
3
1 0
3
8
[A]
i
T M
4
t
C
= 100°C
f
0
[
kHz
]
4
3
2
≤
0,4
0,05
1
0,4
2
2
1
0,4
0,25
0,1
0,05
1 0
2
8
6
5
3
1
5
2
3
4
TT 180 F6/3
6
10
2
2
4
6
8 10
3
2
4
t
p
[µs]
6
8 10
4
4
5
6
8
10
1
2
3
4
5
6
8
10
2
TT 180 F15/6
+ di
T
/dt
[
A/µs
]
Bild / Fig. 1, 2, 3
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwin-
gungsdauer für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf,
der angegebenen Gehäusetemperatur t
C
,
Vorwärts-Sperrspannung V
DM
≤
0,67 V
DRM
;
Freiwerdezeit t
q
gemäß 5. Kennbuchstaben,
Spannungssteilheit dv
D
/dt gemäß 6. Kennbuchstaben.
Ausschaltverlustleistung:
- Berücksichtigt für den Betrieb bei f
0
= 50 Hz...0,4 kHz für dv
R
/dt
≤
500 V/µs
und Anstieg auf v
RM
≤
0,67 V
RRM;
- nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f
0
≥
1 kHz. Diese Kurven gelten
jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv
R
/dt
≤
100 V/µs und
Anstieg auf V
RM
≤
50 V.
Maximum allowable current load versus halfwave duration per arm at:
sinusoidal current waveform, given case temperature t
C,
forward off-state voltage v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
circuit commutated turn-off time t
q
according to 5th code letter,
rate of rise of voltage dv
D
/dt according to 6th code letter.
Turn-of losses:
- taken into account for operation at f
0
= 50 Hz to 0.4 kHz for dv
R
/dt
≤
500V/µs
and rise up to v
RM
≤
0.67 V
RRM
;
- not taken into account for operation at f
0
≥
1 kHz. But the curves are valid for
operation with inverse paralleled diode or dv
R
/dt
≤
100 V/µs and rise up to
v
RM
≤
50 V.
i
i
TM
t
p
_
T=1
f
0
t
R
C
Bild / Fig. 4, 5, 6
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit
für einen
Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen
Gehäusetemperatur t
C
;
Vorwärts-Sperrspannung v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
Freiwerdezeit t
q
gemäß 5. Kennbuchstabe,
Spannungssteiheit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe.
Ausschaltverlustleistung berücksichtigt; die Kurven gelten für:
_______ Betrieb mit antiparalleler Diode oder
dv /dt
≤
100 V/µs bei Anstieg auf v
RM
≤
50 V.
_ _ _ _ _ dv
R
/dt
≤
600 V/µs und Anstieg auf v
R
RM
= 0,67 V
RRM
.
Maximum allowable current load versus of rise of current per arm at:
trapezoidal current waveform, given case temperature t
C
,
forward off-state voltage v
DM
≤
0.67 V
DRM
,
circuit commutated turn-off t
q
according to 5th code letter,
rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter.
Turn-off losses taken into account; the curves apply for:
_______ Operation with inverse paralleled diod or
dv /dt
≤
100 V/µs rising up to v
≤
50 V.
_ _ _ _ _ dv
R
/dt
≤
600 V/µs rising up to v
RM
= 0.67 V
R
RM
RRM
.
RC-Glied/RC network:
R
[
Ω
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,22µF
i
i
TM
+di/dt
_
T
2
-di
T
/dt
t
_
T=1
f
R
C
RC-Glied/RC network:
R
[
Ω
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,33µF
0
Parameter: Wiederholfrequenz f
0
[kHz] Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 1 A, t
a
= 1µs
Repetition rate f
0
[kHz]
Parameter: Wiederholfrequenz f
0
[kHz] Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 1 A, t
a
= 1µs
Repetition rate f
0
[kHz]
TT 180 F
1 0
4
8
4
i
TM
6
10
20
± di
T
/dt = 25 A/µs
Parameter: W
tot
[
Ws
]
i
1 0
4
8
TM
4
[A]
4
2
0,6
0,4
1
6
10
20
± di
T
/dt = 25 A/µs
Parameter: W
tot
[
Ws
]
4
2
0,6
0,4
0,2
1
2
[A]
2
1 0
3
8
0,2
6
0,1
4
5
0,1
80
mWs
2
60
mWs
1 0
3
8
6
4
0,1
60
mWs
40
2
mWs
1 0
2
1 0
4
8
T 195 F11/7
T 318 F11/7
1 0
2
6
10
20
4
2
1
0,6
0,4
± di
T
/dt = 50 A/µs
Parameter: W
tot
[
Ws
]
i
1 0
4
T 195 F14/10
T 318 F14/10
8
4
1
2
4
6
10
20
± di
T
/dt = 50 A/µs
Parameter: W
tot
[
Ws
]
i TM
4
[A]
2
[A]
TM
2
1 0
3
8
6
0,6
0,4
1 0
3
8
0,2
6
4
0,1
4
0,1
5
0,2
60
2
mWs
40
mWs
2
0,1
10
± di
T
/dt = 100 A/µs
Parameter: W
tot
[
Ws
]
2
80
mWs
T 195 F15/11
T 318 F15/11
10
2
1 0
4
8
iTM
4
T 195 F14/8
T 318 F14/8
4
2
1
0,6
6
10
20
1 0
4
8
i TM
4
6
4
10
20
± di
T
/dt = 100 A/µs
Parameter: W
tot
[
Ws
]
[A]
[A]
2
1
2
2
1 0
3
8
0,4
6
4
0,2
0,1
1 0
3 0,6
8
6
0,4
4
0,3
0,2
2
60
1 0
2
40
mWs
2
0,1
5
60
100
T 195 F13/9
T 318 F13/9
200
µs
400 600
1
2
ms
4
t
w
6
10
10
2
40
60
100
T 195 F16/12
T 318 F16/12
200
µs
400 600
1
2
ms
4
t
w
6
10
Bild / Fig. 7, 8, 9
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen trapezförmigen
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di
T
/dt,
Vorwärts-Sperrspannung v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
Rückwärts-Sperrspannung v
RM
≤
50V,
Spannungssteilheit dv
R
/dt
≤
100 V/µs.
D iagram for the determination of the total energy W
t ot
for a
trapezoidal current pulse for one arm at:
given rate of rise of on-state current di
T
/dt,
forward off-state voltage v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
maximum reverse voltage v
RM
≤
50 V,
rate of rise of off-state voltage dv
R
/dt
≤
100 V/µs.
i
T
i
T M
di
T
/dt
t
w
t
-di
T
/dt
R
C
Bild / Fig. 10, 11, 12
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen trapezförmigen
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di
T
/dt,
Vorwärts-Sperrspannung v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
Rückwärts-Sperrspannung v
RM
≤
0,67V
RRM
,
Spannungssteilheit dv
R
/dt
≤
600 V/µs.
Diagram for the determination of the total energy W
tot
for a
trapezoidal current pulse for one arm at:
given rate of rise of on-state current di
T
/dt,
forward off-state voltage v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
maximum reverse voltage v
RM
≤
0.67 V
RRM
,
rate of rise of off-state voltage dv
R
/dt
≤
600 V/µs.
i
T
i
T M
di
T
/dt
t
w
t
-di
T
/dt
R
C
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 1 A, t
a
= 1µs
RC-Glied/RC network:
R
[
Ω
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,33µF
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 1 A, t
a
= 1µs
RC-Glied/RC network:
R
[
Ω
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,33µF
TT 180 F
10 k
6000
i
T
[
A
]
2000
1000
600
400
200
100
60
40
20
10
1
2
4
6
10
20
40 60 100
200
P
TT
+ P
T
=
60 kW
40 kW
20 kW
10 kW
6 kW
4 kW
2 kW
1 kW
600 W
400 W
200 W
100 W
60 W
40 W
20 W
10
4
8
i TM
4
2
W
tot
=
6 Ws
4
10
20 Ws
[A]
2
1
10
3
8
0,2
6
0,1 Ws
4
40
20
0,6
0,4
60 mWs
2
mWs
10
2
40
T 195 F3/13
T 318 F3/13
400 600 1ms
t [µs]
60
100
Bild / Fig. 13
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlust-
leistung (P
TT
+ P
T
) je Zweig.
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (P
TT
+ P
T
).
Bild / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen sinusförmigen
Durchlaß-Strompuls für einen Zweig.
Diagram for the determination of the total energy W
tot
for a sinusoidal
on-state current pulse for one arm.
i
T
T 195 F4/14
T 318 F4/14
200
µs
400 600
1
2
ms
4
t
p
6
10
Lastkreis/load circuit:
v
DM
≤
0,67 V
DRM
v
RM
≤
50 V
dv
R
/dt
≤
100 V/µs
t
p
t
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 1 A, t
a
= 1µs
i
TM
R
C
R
RC-Glied/RC network:
[
Ω
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,22µF
20
15
v
G
8
[
V
]
6
4
2
1
0,8
0,6
0,4
0,2
10
c
100
60
b
a
t
gd
20
[µs]
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
a
b
20
T 670 F21/15
40 60 100
mA
200
400 600
1
2
A
4
i
G
6
10
0,1
10
20
Bild / Fig. 15
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei v
D
= 6V.
Gate characteristic and peak power dissipation at v
D
= 6V.
Parameter:
a
b
c
___________________________________________________________
Steuerimpulsdauer/Pulse duration t
g
[ms]
10
1
0,5
___________________________________________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power
[W]
20
40
60
___________________________________________________________
1000
i
TM
= 1000 A
500 A
T 195 F17/16
T 290 F17/16
40 60 100
mA
200
400 600
1
2
A
4
i
G
6
10
Bild / Fig. 16
Zündverzug/Gate controlled delay time t
gd
,
DIN 41787, t
a
= 1 µs, t
vj
= 25°C.
a - außerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
[
µAs
]
Q
r
800
600
200 A
400
100 A
50 A
200
20 A
0
TT 180 F 08...13
50
100
Bild / Fig. 17
Sperrverzögerungsladung Q
r
= f(di/dt)
t
vj
= t
vj max
, v
R
= 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom I
TM
/
Recovert charge Q
r
= f(di/dt)
t
vj
= t
vj max
, vR = 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: on-state current I
TM
150
- di
T
/dt
[
A/µs
]
200
微控制器 MCU
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