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2SC1251

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小39KB,共2页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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2SC1251概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN,

2SC1251规格参数

参数名称属性值
包装说明POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.3 A
基于收集器的最大容量3 pF
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带L BAND
JESD-30 代码O-CRPM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)7 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1800 MHz
Base Number Matches1
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