European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
TT 101 F
screwing depth
max. 12
fillister head screw
M6x15 Z4-1
plug
A 2,8 x 0,8
III
II
I
14
K2
G2
K1
G1
15
25
80
94
25
13,3 5
AK
K
K1 G1
K2
G2
A
VWK Febr. 1997
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
TT 101 F, TD 101 F, DT 101 F
Electrical properties
Maximum rated values
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= +25°C...t
vj max
t
c
= 85°C
t
c
= 70°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
t
p
= 10 ms
,
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
t
p
= 10 ms
,
v
D
≤
67%, V
DRM
, f
o
= 50 Hz
I
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/µs
t
vj
= t
vj max
V
D
= 0,67 V
DRM
,
6.Kennbuchstabe/6th letter B
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter L
6.Kennbuchstabe/6th letter M
V
DRM
, V
RRM
V
DSM
= V
DRM
V
RSM
= V
RRM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
2
∫
i dt
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
Spitzensperrspannung
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
non-repetitive peak forward off-state
voltage
non-repetitive peak reverse voltage
RMS on-state current
average on-state current
surge current
2
∫
i dt-value
800 1000 1100 1200
1300 1400
V
+ 100
200
101
128
2750
2400
37800
28800
160
1)
2)
V
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A/µs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
(di/dt)
cr
(dv/dt)
cr
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
50
500
500
1000
50
500
50
500
V/µs
V/µs
V/µs
V/µs
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Isolations-Prüfspannung
Charakteristische Werte
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
Characteristic values
forward off-state and reverse currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
insulation test voltage
t
vj
= t
vj max
i
T
= 350 A
,
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
v
D
= 6 V
,
t
vj
= t
vj max
v
D
= 0,5 V
DRM
,
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 10
Ω
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 20
Ω
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/µs, t
g
= 10 µs
t
vj
= t
vj max
v
D
=V
DRM
, v
R
= V
RRM
,
t
vj
=25°C, I
GM
=0,6 A,di
G
/dt =0,6 A/µs
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
v
T
V
T(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
i
D
, i
R
t
gd
t
q
V
ISOL
max. 2,15
1,2
2,1
max. 150
max. 2
max. 10
max. 0,25
max. 250
max. 1
max. 30
max. 1,4
S: max. 18
E: max. 20
F: max. 25
3
V
V
m
Ω
mA
V
mA
V
mA
A
mA
µs
µs
µs
µs
kV
Innerer Wärmewiderstand
Thermische Eigenschaften
thermal resistance, junction
to case
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Thermal properties
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Θ
=180° el,sinus: pro Modul/per module R
thJC
pro Zweig/per arm
DC:
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
pro Modul/per module
R
thCK
pro Zweig/per arm
t
vj max
t
c op
t
stg
max. 0,115
max. 0,23
max. 0,107
max. 0,214
max. 0,03
max. 0,06
125
-40...+125
-40...+130
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmomente für mechanische
Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
Maßbild
1)
2)
Mechanische Eigenschaften
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
weight
creepage distance
vibration resistance
outline
Mechanical properties
Toleranz/tolerance ± 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
AIN
6
6
typ. 430
14
5 . 9,81
1
Nm
Nm
g
mm
m/s²
f = 50 Hz
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time
Daten der Dioden siehe unter DD 122 S bei V
RRM
≤
800 V und DD 121 S bei V
RRM
≤
1000 V
For data of the diode refer to DD 122 S at V
RRM
≤
800 V and DD 121 S at V
RRM
≤
1000 V
TT 101 F, TD 101 F, DT 101 F können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
TT 101 F, TD 101 F, DT 101 F can also be supplied with common or common cathode
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
TT 101 F
3
2
[A]
i
T M
1 0
3
8
6
4
2
1 0
2
8
6
4
3
3
2
[A]
i
TM
1 0
3
8
6
4
2
1 0
2
8
6
4
3
3
2
[A]
i
TM
1 0
3
8
6
4
2
1 0
2
8
6
4
3
5
2
1
0,4
0,25
0,1
50 Hz
TT 101 F4/2
TT 101 F3/1
t
C
= 60°C
Parameter: f
0
[
kHz
]
400
[
A
]
300
i
TM
200
150
100
80
60
50
40
300
200
i
TM
tc = 60°C
TT 101 F12/4
f
0
[
kHz
]
50...400 Hz
1
1
2
3
2
5
3
3
5
2
1
0,4
0,25
0,1
50 Hz
5
t
C
= 80°C
Parameter: f
0
[
kHz
]
[
A
]
f
0
[
kHz
]
50...400 Hz
50 Hz
0,4 1
2
1
3
150
100
80
60
50
40
30
300
tc = 80°C
TT 101 F13/5
5
3
2
1
0,4
0,25
0,1
50 Hz
2
5
3
5
t
C
= 100°C
Parameter: f
0
[
kHz
]
i
TM
[
A
]
200
150
100
80
60
50
40
tc=100°C
5
6
8
10
20
TT 101 F14/6
f
0
[
kHz
]
50...400 Hz
50 Hz
1 0,4
2
1
3
5
2
3
40
60
100
200
µs
400 600
1
2
ms
4
t
p
6
10
30
5
3
40
TT 101 F5/3
60
80 100
+ di
T
/dt
[
A/µs
]
-
Bild / Fig. 1, 2, 3
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwin-
gungsdauer für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf,
der angegebenen Gehäusetemperatur t
C
,
Vorwärts-Sperrspannung V
DM
≤
0,67 V
DRM
;
Freiwerdezeit t
q
gemäß 5. Kennbuchstaben,
Spannungssteilheit dv
D
/dt gemäß 6. Kennbuchstaben.
Ausschaltverlustleistung:
- Berücksichtigt für den Betrieb bei f
0
= 50 Hz...0,4 kHz für dv
R
/dt
≤
600 V/µs
und Anstieg auf v
RM
≤
0,67 V
RRM;
- nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f
0
≥
1 kHz. Diese Kurven gelten
jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv
R
/dt
≤
100 V/µs und
Anstieg auf V
RM
≤
50 V.
Maximum allowable current load versus halfwave duration per arm at:
sinusoidal current waveform, given case temperature t
C,
forward off-state voltage v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
circuit commutated turn-off time t
q
according to 5th code letter,
rate of rise of voltage dv
D
/dt according to 6th code letter.
Turn-of losses:
- taken into account for operation at f
0
= 50 Hz to 0.4 kHz
for dv
R
/dt
≤
600V/µs and rise up to v
RM
≤
0.67 V
RRM
;
- not taken into account for operation at f
0
≥
1 kHz. But the curves are valid for
operation with inverse paralleled diode or dv
R
/dt
≤
100 V/µs and rise up to
v
RM
≤
50 V.
i
i
TM
t
p
t
R
C
Bild / Fig. 4, 5, 6
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit
für einen Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen
Gehäusetemperatur t
C
;
Vorwärts-Sperrspannung v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
Freiwerdezeit t
q
gemäß 5. Kennbuchstabe,
Spannungssteiheit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe.
Ausschaltverlustleistung berücksichtigt; die Kurven gelten für:
_______ Betrieb mit antiparalleler Diode oder
dv /dt
≤
100 V/µs bei Anstieg auf v
RM
≤
50 V.
_ _ _ _ _ dv
R
/dt
≤
600 V/µs und Anstieg auf v
R
RM
= 0,67 V
RRM
.
Maximum allowable current load versus of rise of current per arm at:
trapezoidal current waveform, given case temperature t
C
,
forward off-state voltage v
DM
≤
0.67 V
DRM
,
circuit commutated turn-off t
q
according to 5th code letter,
rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter.
Turn-off losses taken into account; the curves apply for:
_______ Operation with inverse paralleled diod or
dv /dt
≤
100 V/µs rising up to v
≤
50 V.
_ _ _ _ _ dv
R
/dt
≤
600 V/µs rising up to v
RM
= 0.67 V
R
RM
RRM
.
RC-Glied/RC network:
R
[
Ω
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,15µF
i
i
TM
+di/dt
_
T
2
-di
T
/dt
t
_
T=1
f
R
C
RC-Glied/RC network:
R
[
Ω
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,22µF
_
T=1
f
0
0
Parameter: Wiederholfrequenz f
0
[kHz]
Repetition rate f
0
[kHz]
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 0,6 A, t
a
= 1µs
Parameter: Wiederholfrequenz f
0
[kHz]
Repetition rate f
0
[kHz]
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 0,6 A, t
a
= 1µs
TT 101 F
3
0,6
2
0,4
[ A]
i
T M
0,2
1 0
3
8
6
0,1
1
2
4
6
10
± di
T
/dt = 25 A/µs
Wtot
[
Ws
]
3
2
0,4
[A]
i
T M
0,2
1 0
3
8
6
0,1
4
0,06
0,6
1
2
4
6
10
± di
T
/dt = 25 A/µs
Wtot
[
Ws
]
4
2
2
0,06
0,04
0,03
0,02
0,015
2
0,04
10
8
6
0,02
4
3
2
4
6
10
0,03
2 0,025
10
8
6
0,01
4
3
3
2
[A]
0,6
i
T M
0,4
1 0
3
8
6
0,2
4
0,1
2
0,04
0,06
TT 101 F6/7
TT 111 F9/10
1
± di
T
/dt = 50 A/µs
Wtot
[
Ws
]
3
2
[A]
0,4
i
TM
1 0
3
0,2
8
6
4
2
0,1
0,06
0,6
1
2
4
6
10
± di
T
/dt = 25 A/µs
Wtot
[
Ws
]
1 0
2
8
0,015
6
0,01
4
3
3
2
[A]
1
i
T M
0,6
1 0
3
8
0,4
6
4
0,2
0,1
2
4
6
10
TT 101 F7/8
0,03
0,02
10
8
6
0,03
4
3
± di
T
/dt = 100 A/µs
Wtot
[
Ws
]
3
2
[A]
0,6
i
T M
0,4
1 0
3
8
6
0,2
1
2
4
6
10
0,025
TT 111 F10/11
2 0,04
± di
T
/dt = 100 A/µs
W tot
[
Ws
]
4
0,15
2
0,1
0,08
0,06
2
0,06
0,04
2 0,03
10
8
0,02
6
0,015
4
3
40
0,01
1 0
2
8
0,05
6
4
3
40
0,04
60
100
200
µs
400 600
1
2
ms
4
t
w
6
10
60
100
200
µs
400 600
1
2
ms
4
t
w
6
10
TT 101 F8/9
TT 111 F11/12
Bild / Fig. 7, 8, 9
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen trapezförmigen
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di
T
/dt,
Vorwärts-Sperrspannung v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
Rückwärts-Sperrspannung v
RM
≤
50V,
Spannungssteilheit dv
R
/dt
≤
100 V/µs.
D iagram for the determination of the total energy W
to t
for a
trapezoidal current pulse for one arm at:
given rate of rise of on-state current di
T
/dt,
forward off-state voltage v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
maximum reverse voltage v
RM
≤
50 V,
rate of rise of off-state voltage dv
R
/dt
≤
100 V/µs.
i
T
i
T M
di
T
/dt
t
w
t
-di
T
/dt
R
C
Bild / Fig. 10, 11, 12
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen trapezförmigen
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di
T
/dt,
Vorwärts-Sperrspannung v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
Rückwärts-Sperrspannung v
RM
≤
0,67V
RRM
,
Spannungssteilheit dv
R
/dt
≤
500 V/µs.
Diagram f or the determination of the t otal energy W
tot
f or a
trapezoidal current pulse for one arm at:
given rate of rise of on-state current di
T
/dt,
forward off-state voltage v
DM
≤
0,67 V
DRM
,
maximum reverse voltage v
RM
≤
0.67 V
RRM
,
rate of rise of off-state voltage dv
R
/dt
≤
500 V/µs.
i
T
i
TM
di
T
/dt
t
w
t
-di
T
/dt
R
C
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 0,6 A, t
a
= 1µs
RC-Glied/RC network:
R
[
Ω
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,22µF
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 0,6 A, t
a
= 1µs
RC-Glied/RC network:
R
[
Ω
]
≥
0,02 . v
DM
[
V
]
C
≤
0,22µF
TT 101 F
10000
6000
[
A
]
2000
1000
600
400
200
100
60
40
20
10
1
2
4
6
10
20
40 60 100
P
TT
+ P
T
[
kW
]
40
20
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
0,1
0,06
0,04
0,02
3000
[A]
0,6
i
T M
0,4
1000
0,2
1
2
4
6
10
W
tot
[
Ws
]
i
T
600
0,1
400
0,06
0,04
200
0,02
0,01
6
100
mWs
4
60
2
mWs
200
TT 101 F1/13
400 600 1ms
t [µs]
40
30
40
60
100
Bild / Fig. 13
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlust-
leistung (P
TT
+ P
T
) je Zweig.
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (P
TT
+ P
T
).
TT 101 F2/14
t
p
Bild / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen sinusförmigen
Durchlaß-Strompuls für einen Zweig.
Diagram for the determination of the total energy W
tot
for a sinusoidal
on-state current pulse for one arm.
Lastkreis/load circuit:
i
T
RC-Glied/RC network:
R
R
[
Ω
]
≥
0,02 . v
v
DM
≤
0,67 V
DRM
i
TM
DM
[
V
]
v
RM
≤
50 V
C
≤
0,15µF
C
dv
R
/dt
≤
100 V/µs
t
p
t
200
µs
400 600
1
2
ms
4
6
10
30
20
[
V
]
v
G
10
8
6
4
2
1
0,8
0,6
0,4
0,2
0,1
10
20
40 60 100
mA
200
400 600
1
2
4
i
G
6
10
a
b
c
t
gd
100
60
[µs]
20
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 0,6 A, t
a
= 1µs
a
b
T 72 F15 / T102 F/15
A
0,1
10
20
T 72 F16 / T 102 F/16
40 60 100
mA
200
400 600
1
2
A
4
i
G
6
10
Bild / Fig. 15
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei v
D
= 6V.
Gate characteristic and peak power dissipation at v
D
= 6V.
Parameter:
a
b
c
__________________________________________________________
Steuerimpulsdauer/Pulse duration t
g
[ms]
10
1
0,5
__________________________________________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power
[W]
20
40
60
__________________________________________________________
i
TM
= 500 A
Bild / Fig. 16
Zündverzug/Gate controlled delay time t
gd
,
DIN 41787, t
a
= 1 µs, t
vj
= 25°C.
a - außerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
Q
r
600
[
µAs
]
500
400
300
200
100
200 A
100 A
50 A
20 A
10 A
0
TT 101 F 08...14
50
100
Bild / Fig. 17
Sperrverzögerungsladung Q
r
= f(di/dt)
t
vj
= t
vj max
, v
R
= 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom I
TM
/
Recovert charge Q
r
= f(di/dt)
t
vj
= t
vj max
, vR = 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: on-state current I
TM
150
- di
T
/dt
[
A/µs
]
200
MEMS传感器
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