IS42S32200-6BL,IS42S32200-6BL pdf中文资料,IS42S32200-6BL引脚图,IS42S32200-6BL电路-Datasheet-电子工程世界

IS42S32200-6BL: 产品描述Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, BGA-90; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共59页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS42S32200-6BL概述

Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, BGA-90

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	DSBGA
包装说明	TFBGA, BGA90,9X15,32
针数	90
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e1
长度	13 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	90
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	8 mm

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