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RS3GB

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小851KB,共3页
制造商Weitron Technology
官网地址http://weitron.com.tw/
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RS3GB概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

RS3GB规格参数

参数名称属性值
厂商名称Weitron Technology
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL

RS3GB文档预览

RS3GB
Surface Mount Fast Recovery Rectifiers
P b
Lead(Pb)-Free
* All material are in full conformity of RoHs.
Features:
* For Surface Mount Application
* Glass Passivated Chip
* Low Reverse Leakage Current
* Low Forward Voltage Drop And High Current Capability
REVERSE VOLTAGE
400 VOLTS
FORWARD CURRENT
3.0 AMPERE
Mechanical Data:
* Case : Molded Plastic
* Polarity :Indicated by cathode band
* Weight : 0.003 Ounce ,0.093 grams
SMB(DO-214AA)
SMB Outline Dimension
B
Dim
A
C
A
B
C
D
E
H
E
G
G
H
J
Unit:mm
SMB
Min
3.30
4.06
1.96
0.15
5.00
0.10
0.76
2.00
Max
3.94
4.80
2.21
0.31
5.59
0.20
1.52
2.62
D
J
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
1/3
04-Dec-08
RS3GB
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase HalfWave, 60Hz , Resistive or Inductive Load.
For Capacitive Load, Derate Current by 20%.
Characteristics
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
.375”(9.5mm) lead Length at T
T
= 75°C
Peak Forward Surge Current,8.3 ms Single Half
Sine-WaveSuperimposed on Rated Load
Maximum Instantaneous At 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current @T
A
= 25°C
At Rated DC BlockingVoltage @T
A
= 125°C
Max Reverse Recovery Time
1
Typical Junction Capacitance
2
Maximum Thermal Resistance Terminal
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
3
Symbol
Value
400
280
400
3.0
100
1.3
5.0
250
150
50
25
+150
-65 to +150
Unit
V
V
V
A
A
V
A
nS
PF
k/W
°C
°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
C
J
R
θJT
T
J
T
STG
Note: 1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and Applied V
R
=4.0 Volts
3. Units Mounted on P.C.B. 5 x 5mm) Pad Areas
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/3
04-Dec-08
RS3GB
RATINGSANDCHARACTERISTICCURVES
I
F,
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
3.0
10
I
(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.0
0.1
T
j
= 25°C
I
F
Pulse Width: 300 µs
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
T
T
, TERMINAL TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
I
FSM
, PEAK FORWARD SURGE CURRENT (A)
I
R
, INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (µA)
100
Single Half-Sine-Wave
(JEDEC Method)
1000
T
j
= 125°C
100
80
60
40
20
0
10
1.0
T
j
= 25°C
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
Fig. 4 Typical Reverse Characteristics
t
rr
1
10
100
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
Fig. 3 Forward Surge Current Derating Curve
50
NI (Non-inductive)
Device
Under
Test
50V DC
Approx
10
NI
+0.5A
(-)
Pulse
Generator
(Note 2)
(+)
(-)
0A
-0.25A
1.0
NI
Oscilloscope
(Note 1)
(+)
Notes:
1. Rise Time = 7.0ns max. Input Impedance = 1.0M
, 22pF.
2. Rise Time = 10ns max. Input Impedance = 50
.
-1.0A
Set time base for 50/100 ns/cm
Fig. 5 Reverse Recovery Time Characteristic and Test Circuit
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/3
04-Dec-08
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