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FHD16

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共1页
制造商Fenghua (HK) Electronics Ltd
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FHD16概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon,

FHD16规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fenghua (HK) Electronics Ltd
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.225 W
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.006 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

FHD16文档预览

Switching Diode
Switching Diode
DESCRIPTION & FEATURES
概述及特點
Low forward voltage
½正向壓降
Fast reverse recovery time
快恢復時間
Ultra High Speed Switching Application
超高速開關應用
SOT-23
FHD16
PIN ASSIGNMENT
引腳說明
PIN NAME
FUNCTION
PIN NUMBER
引腳序號
管腳符號
功½
SOT-23
3
Cathode
A
1
Anode
NC
2
C
3
Cathode
MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
最大額定值
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Continuous Reverse Voltage
連續反向電壓
75
V
R
Peak Forward Current
正向峰值電流
I
F
200
Peak Forward Surge Current
正向最大浪湧電流
500
I
FM(surge)
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Max
最大值
Total Device Dissipation FR-5 Board(1) T
A
=25℃
225
P
D
Total Device Dissipation Alumina Substrate,(2) T
A
=25℃
P
D
300
½耗散功率 氧化鋁襯底
150,
T
J
,
Junction and Storage Temperature結溫和儲存溫度
T
stg
-55 ~150
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in, printed-circuit board.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in, 99.5%alumina
DEVICE MARKING
打標
FHD16=A6
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted
如無特殊說明,溫度為
25℃)
Symbol
Test Condition
Characteristic
特性參數
符號
測試條件
V
R
=75Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
V
R
=75Vdc,T
j
=150℃
I
R
反向漏電流
V
R
=25Vdc,T
j
=150℃
Reverse Breakdown Voltage
I
BR
=100μAdc
V
(BR)
反向擊穿電壓
I
F
=1mAdc
I
F
=10mAdc
Forward Voltage
正向電壓
V
F
I
F
=50mAdc
I
F
=150mAdc
Diode Capacitance
電容
V
R
=0,f=1.0MHz
C
D
Forward Recovery Voltage
V
FR
I
F
=10mAdc,t
r
=20ns
正向恢復電壓
Reverse Recovery Time
I
F
=I
R
=10mAdc,
t
rr
反向恢復時間
R
L
=50Ω
1
Anode
Unit
單½
Vdc
mAdc
mAdc
Unit
單½
mW
mW
Min
最小值
75
Type
典型值
Max
最大值
1.0
50
30
715
855
1000
1250
2.0
1.75
6.0
Unit
單½
µA
Vdc
mV
pF
Vdc
nS
1

 
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