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54F413DM

产品描述64 x 4 First-In First-Out Buffer Memory with Parallel I/O
产品类别存储    存储   
文件大小113KB,共6页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数

54F413DM概述

64 x 4 First-In First-Out Buffer Memory with Parallel I/O

54F413DM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间39 ns
最大时钟频率 (fCLK)8 MHz
周期时间125 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T16
JESD-609代码e0
长度19.43 mm
内存密度256 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度4
功能数量1
端子数量16
字数64 words
字数代码64
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64X4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大压摆率0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术TTL
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1
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