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TFR2TTPA1

产品描述DIODE 0.5 A, 1500 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小48KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TFR2TTPA1概述

DIODE 0.5 A, 1500 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

TFR2TTPA1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流0.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1500 V
最大反向恢复时间4 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

TFR2TTPA1相似产品对比

TFR2TTPA1 TFR2TTPA2
描述 DIODE 0.5 A, 1500 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.5 A, 1500 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 0.5 A 0.5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1500 V 1500 V
最大反向恢复时间 4 µs 4 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL

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