Silicon N Channel MOS FET
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | SC-83 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏极电流 (ID) | 1.5 A |
最大漏源导通电阻 | 6 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 6 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
2SJ1152STR-E | 2SK1151_11 | 2SJ1151STR-E | |
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描述 | Silicon N Channel MOS FET | Silicon N Channel MOS FET | Silicon N Channel MOS FET |
零件包装代码 | SC-83 | - | SC-83 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | - | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 | - | 3 |
Reach Compliance Code | compli | - | compli |
外壳连接 | DRAIN | - | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 500 V | - | 450 V |
最大漏极电流 (ID) | 1.5 A | - | 1.5 A |
最大漏源导通电阻 | 6 Ω | - | 5.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | - | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 2 | - | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 6 A | - | 6 A |
表面贴装 | YES | - | YES |
端子形式 | GULL WING | - | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | - | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
Base Number Matches | 1 | - | 1 |
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