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VP0635N5

产品描述Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小202KB,共4页
制造商Supertex
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VP0635N5概述

Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

VP0635N5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Supertex
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压350 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.4 A
最大漏极电流 (ID)0.4 A
最大漏源导通电阻25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)20 pF
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值28 W
最大功率耗散 (Abs)28 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)0.75 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)30 ns
最大开启时间(吨)20 ns

VP0635N5相似产品对比

VP0635N5 VP0640N3 VP0635N2 VP0640N5 VP0640ND VP0635N3
描述 Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 400V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 400V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN Small Signal Field-Effect Transistor, 400V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 350V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 UNCASED CHIP, S-XUUC-N3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 350 V 400 V 350 V 400 V 400 V 350 V
最大漏源导通电阻 25 Ω 25 Ω 25 Ω 25 Ω 25 Ω 25 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 20 pF 20 pF 20 pF 20 pF 20 pF 20 pF
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 O-PBCY-T3 O-MBCY-W3 R-PSFM-T3 S-XUUC-N3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY METAL PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR ROUND ROUND RECTANGULAR SQUARE ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT CYLINDRICAL CYLINDRICAL FLANGE MOUNT UNCASED CHIP CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO YES NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE WIRE THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE BOTTOM BOTTOM SINGLE UPPER BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Supertex Supertex - Supertex Supertex Supertex
最大漏极电流 (ID) 0.4 A 0.3 A 0.4 A 0.4 A - 0.3 A
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-92 TO-39 TO-220AB - TO-92
最大功率耗散 (Abs) 28 W 1 W 6 W 28 W - 1 W

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