S29CD016J0MFAI100,S29CD016J0MFAI100 pdf中文资料,S29CD016J0MFAI100引脚图,S29CD016J0MFAI100电路-Datasheet-电子工程世界

S29CD016J0MFAI100: 产品描述Flash, 512KX32, 54ns, PBGA80, BGA-80; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共86页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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S29CD016J0MFAI100概述

Flash, 512KX32, 54ns, PBGA80, BGA-80

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
包装说明	BGA-80
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	54 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK
启动块	TOP
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PBGA-B80
JESD-609代码	e0
长度	13 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	32
湿度敏感等级	3
功能数量	1
部门数/规模	16,30
端子数量	80
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA80,8X10,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	1.8/2.6,2.6 V
编程电压	2.7 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.4 mm
部门规模	2K,16K
最大待机电流	0.00006 A
最大压摆率	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.75 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.6 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	11 mm

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