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2N80ZL-TF3-T

产品描述2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小229KB,共6页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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2N80ZL-TF3-T概述

2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET

2N80ZL-TF3-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明TO-220F1, 3 PIN
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)180 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.4 A
最大漏极电流 (ID)2.4 A
最大漏源导通电阻6.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)7 pF
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)24 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)9.6 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)125 ns
最大开启时间(吨)105 ns

2N80ZL-TF3-T相似产品对比

2N80ZL-TF3-T 2N80Z 2N80ZG-TF3-T
描述 2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明 TO-220F1, 3 PIN - TO-220F1, 3 PIN
Reach Compliance Code compli - compli
雪崩能效等级(Eas) 180 mJ - 180 mJ
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 800 V - 800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.4 A - 2.4 A
最大漏极电流 (ID) 2.4 A - 2.4 A
最大漏源导通电阻 6.3 Ω - 6.3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 7 pF - 7 pF
JEDEC-95代码 TO-220AB - TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 24 W - 24 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 9.6 A - 9.6 A
表面贴装 NO - NO
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - SINGLE
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
最大关闭时间(toff) 125 ns - 125 ns
最大开启时间(吨) 105 ns - 105 ns

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