2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
包装说明 | TO-220F1, 3 PIN |
Reach Compliance Code | compli |
雪崩能效等级(Eas) | 180 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2.4 A |
最大漏极电流 (ID) | 2.4 A |
最大漏源导通电阻 | 6.3 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 7 pF |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 24 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 9.6 A |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 125 ns |
最大开启时间(吨) | 105 ns |
2N80ZL-TF3-T | 2N80Z | 2N80ZG-TF3-T | |
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描述 | 2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET | 2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET | 2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | - | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
包装说明 | TO-220F1, 3 PIN | - | TO-220F1, 3 PIN |
Reach Compliance Code | compli | - | compli |
雪崩能效等级(Eas) | 180 mJ | - | 180 mJ |
外壳连接 | ISOLATED | - | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 800 V | - | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2.4 A | - | 2.4 A |
最大漏极电流 (ID) | 2.4 A | - | 2.4 A |
最大漏源导通电阻 | 6.3 Ω | - | 6.3 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 7 pF | - | 7 pF |
JEDEC-95代码 | TO-220AB | - | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | - | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 3 | - | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | - | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 24 W | - | 24 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 9.6 A | - | 9.6 A |
表面贴装 | NO | - | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | - | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 125 ns | - | 125 ns |
最大开启时间(吨) | 105 ns | - | 105 ns |
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