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HYB514800BJL-80

产品描述Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28
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文件大小945KB,共24页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB514800BJL-80概述

Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28

HYB514800BJL-80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间80 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度8
端子数量28
字数524288 words
字数代码512000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
自我刷新YES
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

HYB514800BJL-80相似产品对比

HYB514800BJL-80 HYB514800BJL-70 HYB514800BJL-60
描述 Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28 Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28 Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant unknown unknown
最长访问时间 80 ns 70 ns 60 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 8 8 8
端子数量 28 28 28
字数 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ28,.44 SOJ28,.44 SOJ28,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024
自我刷新 YES YES YES
最大待机电流 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A
最大压摆率 0.09 mA 0.1 mA 0.11 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) -
Base Number Matches - 1 1
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